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龍圖騰網(wǎng)獲悉芯仕達電子材料(昆山)有限公司申請的專利去除半導體基材灰化后殘留物的組合物及方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119020117B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411120991.7，技術領域涉及：C11D7/32；該發(fā)明授權去除半導體基材灰化后殘留物的組合物及方法是由詹博筌;王秋桂;尤紹峰設計研發(fā)完成，并于2024-08-15向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本去除半導體基材灰化后殘留物的組合物及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開去除半導體基材灰化后殘留物的組合物及方法，組合物按照重量百分比包括0.05?10wt%的有機胺類化合物、0.001?10wt%的潤濕劑和80?99.5wt%的水，潤濕劑包括多元醇化合物或界面活性劑的至少一種。不含羥胺，不含氟化物，以有機胺類化合物為主體，配合潤濕劑（多元醇化合物和或界面活性劑）和水構成水基清洗劑，不含大量有機溶劑，也不含螯合劑及硅酸鹽腐蝕抑制劑，成本更低且環(huán)保。低溫操作，清洗劑中水分及有效成分不易散失，組合物穩(wěn)定性較好，對金屬侵蝕速率較低，清洗效能穩(wěn)定，能有效去除干法刻蝕電漿灰化后的殘留物，對原本晶片上的金屬線路、介電層及晶片底材材料無侵蝕或極低度侵蝕。

本發(fā)明授權去除半導體基材灰化后殘留物的組合物及方法在權利要求書中公布了：1.去除半導體基材灰化后殘留物的組合物，其特征在于，按照重量百分比包括0.05-10wt%的有機胺類化合物、0.001-10wt%的潤濕劑和80-99.5wt%的水，所述有機胺類化合物為單乙醇胺和四甲基氫氧化銨中的至少一種，所述潤濕劑包括多元醇化合物或界面活性劑的至少一種，所述多元醇化合物包括乙二醇、丙二醇、丙三醇、聚乙二醇中的至少一種，所述界面活性劑為TritonX-100。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.hzsmkbearing.com.cn/list?keyword=%E8%8A%AF%E4%BB%95%E8%BE%BE%E7%94%B5%E5%AD%90%E6%9D%90%E6%96%99%28%E6%98%86%E5%B1%B1%29%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">芯仕達電子材料(昆山)有限公司，其通訊地址為：215341 江蘇省蘇州市昆山市千燈鎮(zhèn)少卿東路169號2號房；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。