華中科技大學童浩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種顯示器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119270529B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411658212.9，技術領域涉及：G02F1/00；該發明授權一種顯示器件是由童浩;譚青山;周啟沛;汪賓浩;樂章;劉芮含;繆向水設計研發完成，并于2024-11-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種顯示器件在說明書摘要公布了：本發明提供一種顯示器件，該顯示器件包括：窄帶吸收體結構，包括介質層和金屬層；寬帶吸收體結構，包括介質層、金屬層和相變層，所述寬帶吸收體結構中的金屬層有多層，具有損耗，K值大于預設閾值，所述相變層位于多層金屬層之間，所述寬帶吸收體結構位于所述窄帶吸收體結構之上，與所述窄帶吸收體結構耦合，產生鮮艷的顏色。本發明具有結構簡單，不易受環境的影響，在溫度變化時，顏色反射率和飽和度變化不大，角度不敏感等優點。
本發明授權一種顯示器件在權利要求書中公布了：1.一種顯示器件，其特征在于，包括： 窄帶吸收體結構，包括介質層和金屬層； 寬帶吸收體結構，包括介質層、金屬層和相變層，所述寬帶吸收體結構中的金屬層有多層，具有損耗，K值大于預設閾值，所述相變層位于多層金屬層之間，所述寬帶吸收體結構位于所述窄帶吸收體結構之上，與所述窄帶吸收體結構耦合，產生鮮艷的顏色； 所述寬帶吸收體結構包括從下到上依次布設的第一反射層、相變層、第一金屬層、第一介質層和第二介質層； 所述寬帶吸收體結構還包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層位于所述第一反射層和所述相變層之間，所述第三金屬層位于所述所述相變層和所述第一金屬層之間； 所述第二金屬層和所述第三金屬層的材料相同，為Ge、We或Ta，其K值大于1； 所述相變層為Ge2Sb2Se5或摻雜C、N元素的硫系相變材料，所述相變層的相變材料中各個元素比例可調，其相變前后K值和N值的變化隨著波長的移動等值減小或者變大； 所述第一金屬層為W、Ge或Ta，其K值大于1； 所述窄帶吸收體結構包括從下到上依次布設的第二反射層、第三介質層、第四介質層和所述第一反射層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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