山東大學欒彩娜獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東大學申請的專利具有超寬禁帶寬度的氧化釓單晶薄膜及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119571456B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411782413.X，技術領域涉及：C30B29/16；該發明授權具有超寬禁帶寬度的氧化釓單晶薄膜及其制備方法與應用是由欒彩娜;肖洪地;張彪;馬瑾;吳思齊設計研發完成，并于2024-12-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有超寬禁帶寬度的氧化釓單晶薄膜及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明涉及一種具有超寬禁帶寬度的氧化釓單晶薄膜及其制備方法與應用，Gd2O3單晶薄膜是立方結構的外延單晶薄膜，生長晶面是Gd2O3的222和或444，薄膜生長的外延關系Gd2O3111GaN0001與脈沖激光沉積采用工業級準分子激光器，激光波長為248nm，激光猝發長度20ns，激光點面積：0.05cm2。本發明的Gd2O3薄膜在可見光區的反射圖譜顯示在230nm?700nm范圍內反射率低于20％，薄膜的光學帶隙為5.30eV?5.55eV，是一種優異的寬禁帶氧化物半導體候選材料。
本發明授權具有超寬禁帶寬度的氧化釓單晶薄膜及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.Gd2O3單晶薄膜的制備方法，所述Gd2O3單晶薄膜是立方結構的外延單晶薄膜，生長晶面是Gd2O3的（222），薄膜生長的外延關系Gd2O3111GaN0001與Gd2O3[]GaN；薄膜在GaN襯底上外延生長的晶格失配≤5%； 包括步驟如下： 以Gd2O3陶瓷靶材為原材料，采用脈沖激光沉積方式，在GaN單晶襯底上制備Gd2O3外延單晶薄膜； 脈沖激光沉積制備Gd2O3單晶薄膜的工藝參數如下： 激光器單脈沖能量200~260mJ 脈沖頻率2~8Hz 反應室壓強1~10Pa 襯底溫度650~750℃ 氧氣流量10~30sccm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東大學，其通訊地址為：250199 山東省濟南市歷城區山大南路27號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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