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龍圖騰網獲悉中檢集團公信安全科技有限公司申請的專利一種便攜式高壓驗電棒的測試儀及實施工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119936765B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411802120.3，技術領域涉及：G01R35/00；該發明授權一種便攜式高壓驗電棒的測試儀及實施工藝是由俞越;胡述雷;武緒仁;張立卓設計研發完成，并于2024-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種便攜式高壓驗電棒的測試儀及實施工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及電力設備的測試技術領域，具體涉及一種便攜式高壓驗電棒的測試儀及實施工藝。本發明是通過以下技術方案實現的：本發明提出了一種便攜式高壓驗電棒的測試儀，包括塑料L型外殼，所述L型外殼第一邊的頭部位置左右對稱設置光電傳感器與電聲傳感器，所述光電傳感器與電聲傳感器前方設有高壓源，所述高壓源前方設有高壓放電針，所述L型外殼第二邊的底部設有電源，所述L型外殼第二邊的后側面的上部位置設有屏幕，L型外殼第二邊的后側面的下部位置設有揚聲器，所述揚聲器與屏幕之間位置設有控制按鈕。本發明通過特殊的計算方法得到了實時的電壓，無需進行高壓采樣，減輕了裝置的復雜程度。

本發明授權一種便攜式高壓驗電棒的測試儀及實施工藝在權利要求書中公布了：1.一種便攜式高壓驗電棒的測試儀，其特征在于，包括L型外殼（1），所述L型外殼上部橫向結構的前端左右對稱設置光電傳感器（2）與電聲傳感器（3），所述光電傳感器（2）與電聲傳感器（3）前方設有高壓源（4），所述高壓源（4）前方設有高壓放電針（5），所述L型外殼下部豎向結構的底部設有電源，所述L型外殼第二邊（102）的后側面的上部位置設有屏幕（6），屏幕（6）下部位置設有揚聲器（7），所述揚聲器（7）與屏幕（6）之間位置設有控制按鈕（8）； 還包括控制電路，所述控制電路包括STM32F407單片機、DC穩壓模塊， STM32F407單片機模塊供電經DC穩壓模塊降壓至工作電壓；所述STM32F407單片機使用TC4420控制連接到初級線圈的IRF3205型N溝道功率場效應管MOSFET的開關狀態，從而控制自激振蕩器產生的高壓電；所述STM32F407單片機控制UC1525B脈沖寬度調制器產生PWM信號，接著通過控制IRF3205MOSFET的開關狀態，通過改變初級線圈的電壓，控制諧振變壓器產生的高壓，所述光電傳感器（2）和電聲傳感器（3）分別為APDS-9253001光電傳感器和SPH0641LU4H-1電聲傳感器，通過單片機的GPIO端口接入，通過濾波器分離出高壓驗電棒發出的聲光頻率，監測高壓驗電棒是否發出聲光報警； 高壓驗電步驟： Step1，高壓放電針（5）靠近高壓電源，計算電壓，STM32F407單片機用于控制PWM信號的占空比為D，進而調節初級線圈的平均電壓V1_avg，V1_avg=D*V1_max，次級線圈高壓源的電壓V2是由初級線圈的平均電壓V1_avg、線圈的匝數比值N2N1以及線圈的Q值和補償系數Kr共同決定的，線圈的匝數比值是指次級線圈的匝數N2與初級線圈的匝數N1的比值，線圈的Q值由線圈本身的物理特性決定，而補償系數Kq是由Q值算出的，Kq=QQ+1； KrD=exp-D-μ^22*σ^2 其中exp是指數函數，D為PWM占空比，μ為諧振變壓器達到最大電壓的占空比，σ為標準差； 最終的輸出電壓V2的計算公式為： V2=V1_avg*N2N1*Kq*KrD 上述公式中，V1_avg是初級線圈的平均電壓，N1是初級線圈的匝數，N2是次級線圈的匝數，Q是線圈的Q值，Kr是補償系數，通過這個公式，根據初級線圈的電壓、線圈的匝數比值、Q值和補償系數Kr，計算出次級線圈的電壓； 單片機根據計算結果，將電壓逐步升高，升高的速度通過設置按鈕進行調整； Step2，STM32F407單片機將計算出的電壓，通過屏幕顯示，并實時監測其報警狀態，當聲光傳感器檢測到高壓驗電棒發出聲光報警時，單片機立即記錄當前電壓，控制蜂鳴器發出報警。

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