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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖北興福電子材料股份有限公司申請的專利一種利用聚焦離子束制備TEM孔隙樣品的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119666504B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411831653.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N1/28；該發(fā)明授權(quán)一種利用聚焦離子束制備TEM孔隙樣品的方法是由黃莉;賀兆波;曾遠(yuǎn);葉瑞;徐澤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種利用聚焦離子束制備TEM孔隙樣品的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及深度較大的孔隙樣品，提供了一種采用聚焦離子束（FIB）制備孔隙樣品觀察底部結(jié)構(gòu)的方法。該方法通過將離子減薄專用樹脂填充入孔隙內(nèi)部、引入改進(jìn)的倒切技術(shù)等手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中制備樣品時(shí)產(chǎn)生的孔隙結(jié)構(gòu)變形、聚焦離子束對孔隙內(nèi)部損傷大的問題，本發(fā)明的技術(shù)效果在于它能夠提高孔隙樣品底部結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性、避免減薄過程中對孔隙結(jié)構(gòu)的損傷。

本發(fā)明授權(quán)一種利用聚焦離子束制備TEM孔隙樣品的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種利用聚焦離子束制備TEM孔隙樣品的方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、樣品前處理：將TEM孔隙樣品固定在樣品臺上，并對TEM孔隙樣品進(jìn)行樹脂膠固化處理； S2、FIB刻蝕：在FIB設(shè)備中，通過精確控制聚焦離子束，對孔隙樣品進(jìn)行初始切割； S3、倒切：利用FIB將試樣薄片的待粘結(jié)面打磨平整，調(diào)整納米機(jī)械手和銅柱的相對位置，使用鎢層將試樣和銅柱下端焊接在一起，此時(shí)孔隙樣品的底部變成待減薄試樣的頂部，切斷鎢針； S4、換樣品臺：將負(fù)載有試樣的銅網(wǎng)從0°樣品臺轉(zhuǎn)移到38°樣品臺上，再次進(jìn)樣，轉(zhuǎn)動(dòng)樣品臺，使銅柱朝上，在試樣薄片的頂部鍍一層鎢保護(hù)層； S5、精細(xì)打磨：先使用逐級降低離子束電壓的方法對試樣進(jìn)行精細(xì)打磨，將TEM孔隙樣品減薄至100nm以下，然后對減薄后的TEM薄片進(jìn)行吹掃處理和清洗處理，以去除表面的非晶層和損傷層，制得所述的TEM孔隙樣品。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人湖北興福電子材料股份有限公司，其通訊地址為：443007 湖北省宜昌市猇亭區(qū)猇亭大道66-3號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。