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龍圖騰網獲悉山東大學申請的專利一種高純度多孔碳化鉭陶瓷及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120136575B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510633767.6，技術領域涉及：C04B41/87；該發明授權一種高純度多孔碳化鉭陶瓷及其制備方法與應用是由王麗煥;馮翔宇;徐現剛;張建設計研發完成，并于2025-05-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高純度多孔碳化鉭陶瓷及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明屬于超高溫陶瓷材料技術領域，公開了一種高純度多孔碳化鉭陶瓷及其制備方法與應用，將多孔石墨基底水平置于垂直氣相沉積腔室中，對腔室抽真空后，通入氬氣，將反應氣壓充壓至10?100mbar，加熱石墨基底至鉭元素的沉積溫度；將無機鉭鹽和氫氣輸送至腔室中，實現第一區域的鉭元素沉積；向反應腔室中通入氬氣，對反應氣壓充壓，將無機鉭鹽的載氣流量提高，將鉭元素的沉積溫度提高，實現第二區域的鉭元素沉積，并重復該過程實現鉭元素在多孔石墨基底上的自內向外依次沉積；鉭元素沉積完畢后，將高純多孔石墨基底加熱，反應得到碳化鉭，通過調整反應條件，使反應氣流在多孔材料的不同深度逐步滲透，并將Ta均勻沉積在不同的位置。

本發明授權一種高純度多孔碳化鉭陶瓷及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種高純度多孔碳化鉭陶瓷的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： 將高純多孔石墨基底清洗、干燥；所述高純多孔石墨基底的厚度為1-10mm，孔隙率為5-50%； 將潔凈的高純多孔石墨基底水平置于垂直氣相沉積腔室中，對腔室抽真空后，通入氬氣，將反應氣壓充壓至10-100mbar，加熱高純多孔石墨基底至鉭元素的沉積溫度；所述鉭元素的沉積溫度為700-1300℃； 采用氬氣作為載氣，將無機鉭鹽和氫氣輸送至腔室中，保持0.5-5h，實現第一區域的鉭元素沉積；無機鉭鹽載氣、反應氣載氣和氫氣的初始流量比為1.8-2.2:3.8-4.2:1； 向反應腔室中通入氬氣，對反應氣壓充壓10-50mbar，將無機鉭鹽的載氣流量提高10-100sccm，將鉭元素的沉積溫度提高10-50℃，其他同第一區域的鉭元素沉積過程，實現第二區域的鉭元素沉積，并重復該過程實現鉭元素在多孔石墨基底上的自內向外依次沉積； 鉭元素沉積完畢后，將高純多孔石墨基底加熱至1000-1800℃，反應得到碳化鉭多孔陶瓷。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東大學，其通訊地址為：250000 山東省濟南市歷城區山大南路27號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。