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龍圖騰網(wǎng)獲悉南昌凱迅光電股份有限公司申請的專利一種改善抗靜電能力的LED外延片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120187166B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510661010.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/824；該發(fā)明授權(quán)一種改善抗靜電能力的LED外延片及其制備方法是由王蘇杰;林曉珊;楊祺設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種改善抗靜電能力的LED外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種改善抗靜電能力的LED外延片及其制備方法。該LED外延片由下往上依次包括GaAs襯底、二次成核層、緩沖層、N型限制層、N型高頻勢壘電容區(qū)、多量子阱有源層、P型高頻勢壘電容區(qū)、P型限制層、P型過渡層、P型窗口層；二次成核層是由GaAs襯底的表面自缺陷層處理后留下的Ga原子與外源氣體AsH3中的As原子結(jié)合原位二次成核形成的GaAs單晶層。本發(fā)明通過對GaAs襯底進(jìn)行襯底表面自缺陷層處理，并采用襯底表面Ga斷裂鍵與As原子二次成核的方法，形成完整無缺陷的GaAs表面層，有效避免由于襯底晶體缺陷在外延生長過程中的增生形成漏電通道，提升了抗靜電性能。

本發(fā)明授權(quán)一種改善抗靜電能力的LED外延片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種改善抗靜電能力的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片由下往上依次包括GaAs襯底、二次成核層、緩沖層、N型限制層、N型高頻勢壘電容區(qū)、多量子阱有源層、P型高頻勢壘電容區(qū)、P型限制層、P型過渡層、P型窗口層； 所述二次成核層是由所述GaAs襯底的表面自缺陷層處理后留下的Ga原子與外源氣體AsH3中的As原子結(jié)合原位二次成核形成的GaAs單晶層； 所述自缺陷層處理的方式為：設(shè)定反應(yīng)室的起始壓力為10mbar，反應(yīng)室溫度設(shè)定為780℃～800℃，在GaAs襯底表面通入H2與N2的混合氣體，H2的流量設(shè)定為15000sccm～20000sccm，N2的流量設(shè)定為1500sccm～2000sccm，反應(yīng)室的壓力從通入混合氣體開始，從10mbar漸變至50mbar，壓力漸變的速率為5mbarmin～10mbarmin，變壓的時(shí)間為5min～8min； 所述原位二次成核的方式為：當(dāng)自缺陷層處理的反應(yīng)室壓力達(dá)到50mbar后，關(guān)閉N2的通入，維持反應(yīng)室壓力穩(wěn)定在50mbar，同時(shí)通入流量為300sccm～500sccm的AsH3氣體，通入的時(shí)間為3min～5min； 所述N型高頻勢壘電容區(qū)和P型高頻勢壘電容區(qū)的材料均是Al0.5In0.5PAlx1Ga1-x10.5In0.5P交替生長的周期性結(jié)構(gòu)，周期性結(jié)構(gòu)的對數(shù)為5對～10對，每個(gè)周期性結(jié)構(gòu)中，Al0.5In0.5P層的厚度為12nm～18nm，Alx1Ga1-x10.5In0.5P層的厚度均為20nm～30nm，其中x1的取值范圍為0.1～0.3。

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