蘇州山河光電科技有限公司傅江華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州山河光電科技有限公司申請的專利圖像傳感器的制造方法及圖像傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120224803B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510697278.7，技術領域涉及：H10F39/00；該發明授權圖像傳感器的制造方法及圖像傳感器是由傅江華;史坦;延宇豪;邱山峰;邱兵設計研發完成，并于2025-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本圖像傳感器的制造方法及圖像傳感器在說明書摘要公布了：本發明提供一種圖像傳感器的制造方法及圖像傳感器，圖像傳感器的制造方法，包括如下步驟：提供光電傳感裝置，所述光電傳感裝置包括光電芯片、用于承載光電芯片的基板以及電性連接于光電芯片的焊盤；于基板的入光側沉積納米結構層，對納米結構層進行第一次刻蝕后，以使納米結構層至少覆蓋于光電芯片的入光側；對納米結構層進行第二次刻蝕后，在光電芯片的入光側形成超表面；通過在基板的入光側沉積納米結構層，并對納米結構層進行兩次刻蝕，以完成超表面的制作，從而無需在由光刻膠層所形成的窗口內進行納米結構層的沉積，解除沉積的工藝溫度所受到的限制，避免納米結構層的材料選擇受到限制。
本發明授權圖像傳感器的制造方法及圖像傳感器在權利要求書中公布了：1.一種圖像傳感器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供光電傳感裝置，所述光電傳感裝置包括光電芯片、用于承載光電芯片的基板以及電性連接于光電芯片的焊盤； 于基板的入光側沉積納米結構層； 在納米結構層上形成第一光刻膠層； 對第一光刻膠層進行曝光顯影，以形成圖案化的第一光刻膠層，所述光電芯片在基板上的投影與圖案化的第一光刻膠層在基板上的投影互補； 在圖案化的第一光刻膠層上形成第一掩膜層； 剝離第一光刻膠層，以形成納米結構層端面上的第一掩膜層； 對納米結構層進行第一次刻蝕，以使納米結構層至少覆蓋于光電芯片的入光側； 利用酸性溶劑去除位于納米結構層端面上的第一掩膜層； 對納米結構層進行第二次刻蝕后，在光電芯片的入光側形成超表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州山河光電科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區金雞湖大道88號人工智能產業園內G1-802單元；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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