上海新微技術研發中心有限公司馮俊偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海新微技術研發中心有限公司申請的專利一種存儲單元和存儲器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120236628B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510725100.9，技術領域涉及：G11C11/413；該發明授權一種存儲單元和存儲器件是由馮俊偉;許貞設計研發完成，并于2025-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種存儲單元和存儲器件在說明書摘要公布了：本發明提供一種存儲單元和存儲器件，存儲單元包括依次堆疊的第一半導體結構、低阻硅合金化物和第二半導體結構；第一半導體結構和第二半導體結構相互交叉設置，且具有的多數載流子類型不同；低阻硅合金化物設置于第一半導體結構和第二半導體結構的交叉點處，分別連接兩者，并形成PN結結構；存儲單元可根據PN結結構的截止狀態和導通狀態讀寫數據。本發明是一種獨特的器件結構，可利用PN結特性實現數據的讀寫，其能夠隨著邏輯工藝同步微縮單元器件，單元尺寸可以做到4F2，極大提升現有靜態存儲器的存儲容量。當器件操作時，可以結合PN結特性控制器件的讀寫。單元漏電控制充分利用PN結反向截止特性，進一步降低功耗。
本發明授權一種存儲單元和存儲器件在權利要求書中公布了：1.一種存儲單元，其特征在于，包括依次堆疊的第一半導體結構、低阻硅合金化物和第二半導體結構； 所述第一半導體結構和第二半導體結構相互交叉設置，所述第一半導體結構和第二半導體結構的多數載流子類型不同； 所述低阻硅合金化物設置于所述第一半導體結構和第二半導體結構的交叉點處，分別連接所述第一半導體結構和第二半導體結構，并形成PN結結構； 所述存儲單元被配置成：可根據所述PN結結構的截止狀態和導通狀態用于代表不同數據值。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海新微技術研發中心有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區菊園新區勝竹路1399號2幢9層930室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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