芯聯集成電路制造股份有限公司魯列微獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉芯聯集成電路制造股份有限公司申請的專利MEMS器件的制備方法及MEMS器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120246920B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510735452.2，技術領域涉及：B81B7/02；該發明授權MEMS器件的制備方法及MEMS器件是由魯列微設計研發完成，并于2025-06-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本MEMS器件的制備方法及MEMS器件在說明書摘要公布了：本申請涉及一種MEMS器件的制備方法及MEMS器件，包括：襯底，包括彼此相對的第一表面和第二表面；第一振膜，位于第一表面側，包括第一可動區域和第一固定區域；第一凸起結構，位于第一振膜的遠離襯底的一側且連接第一可動區域上，第一凸起結構的橫截面面積沿第一方向減小，橫截面為平行于第一表面的平面，第一方向為第二表面至第一表面的方向；第一凸起結構的材料包括SiN，沿第一方向第一凸起結構中的Si含量降低且N含量增加；第一支撐結構，位于第一振膜的遠離襯底的一側且連接于第一固定區域上；背極板，位于第一支撐結構的遠離第一振膜的一側；其中，在第一方向上，第一凸起結構的投影落入背極板的投影范圍內；如此，提高器件的可靠性。
本發明授權MEMS器件的制備方法及MEMS器件在權利要求書中公布了：1.一種MEMS器件，其特征在于，包括： 襯底，包括彼此相對的第一表面和第二表面； 第一振膜，位于所述第一表面側，所述第一振膜包括第一可動區域和位于所述第一可動區域外周的第一固定區域； 第一凸起結構，位于所述第一振膜的遠離所述襯底的一側且連接所述第一可動區域上，所述第一凸起結構的橫截面面積沿第一方向減小，所述橫截面為平行于所述第一表面的平面，所述第一方向為所述第二表面至所述第一表面的方向；所述第一凸起結構的材料包括SiN，沿所述第一方向所述第一凸起結構中的Si含量降低且N含量增加； 第一支撐結構，位于所述第一振膜的遠離所述襯底的一側且連接于所述第一固定區域上； 背極板，位于所述第一支撐結構的遠離所述第一振膜的一側；其中，在所述第一方向上，所述第一凸起結構的投影落入所述背極板的投影范圍內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人芯聯集成電路制造股份有限公司，其通訊地址為：312035 浙江省紹興市越城區皋埠街道臨江路518號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號