三星電子株式會社;成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)金真范獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社;成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)申請的專利半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN109980012B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201811462559.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由金真范;金文鉉;金亨燮;樸臺鎮(zhèn);李寬欽;盧昶佑;瑪麗亞·托萊達(dá)諾盧克;樸洪培;李始炯;黃成萬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-11-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體器件包括：襯底；襯底上的柵電極；柵電極的側(cè)壁上的柵極間隔物；穿透柵電極和柵極間隔物的有源圖案；以及外延圖案，與有源圖案和柵極間隔物接觸。柵電極在第一方向上延伸。柵極間隔物包括半導(dǎo)體材料層。有源圖案在與第一方向交叉的第二方向上延伸。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 襯底； 所述襯底上的柵電極，所述柵電極在第一方向上延伸； 所述柵電極的側(cè)壁上的柵極間隔物，所述柵極間隔物包括半導(dǎo)體材料層； 穿透所述柵電極和所述柵極間隔物的有源圖案，所述有源圖案在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及 外延圖案，與所述有源圖案和所述柵極間隔物接觸， 其中，所述柵極間隔物與所述柵電極相鄰的側(cè)壁具有凸彎曲形狀， 其中，所述外延圖案包括第一雜質(zhì)，并且 所述柵極間隔物的半導(dǎo)體材料層包括與所述第一雜質(zhì)不同導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社;成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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