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龍圖騰網獲悉全球能源互聯網研究院有限公司;國網浙江省電力有限公司;國家電網有限公司申請的專利一種半導體器件單元及其制作方法及形成器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112582460B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910937911.X，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種半導體器件單元及其制作方法及形成器件是由查祎英;金銳;董少華;王耀華;桑玲;吳軍民;潘艷設計研發完成，并于2019-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件單元及其制作方法及形成器件在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體器件單元及其制作方法及形成器件，其特征在于，所述單元包括：具有兩種摻雜特性半導體材料層堆疊而成的層疊層、柵控制結構和絕緣鈍化層31；所述層疊層為凸臺結構，上底面小于下底面，所述凸臺側面具有正斜角或直角結構；所述絕緣鈍化層31設置于所述層疊層的側面，且配合所述正斜角或直角結構與所述層疊層構成立方體結構；所述柵控制結構設置在所述絕緣鈍化層31和所述層疊層之間。本發明可以實現受力面平整、受力均勻、絕緣柵受力小，可實現大面積互聯。

本發明授權一種半導體器件單元及其制作方法及形成器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件單元，其特征在于，所述單元包括：具有兩種摻雜特性半導體材料層堆疊而成的層疊層、柵控制結構和絕緣鈍化層（31）； 所述層疊層為凸臺結構，上底面小于下底面，所述凸臺側面具有正斜角或直角結構； 所述絕緣鈍化層（31）設置于所述層疊層的側面，且配合所述正斜角或直角結構與所述層疊層構成立方體結構； 所述柵控制結構設置在所述絕緣鈍化層（31）和所述層疊層之間； 其中，所述層疊層包括：從下至上依次排列的集電區（10）、漂移區（20）、阱區（11）和發射區（21）；所述單元還包括：阱接觸電極（42’）； 所述柵控制結構包括：絕緣柵（30）和柵電極（41）； 所述柵電極（41）設置在第一個所述絕緣鈍化層（31）下方，所述阱接觸電極（42’）設置在第二個所述絕緣鈍化層（31）下方； 所述層疊層與所述柵電極（41）之間設有所述絕緣柵（30），且所述層疊層與第一個所述絕緣鈍化層（31）之間設有所述絕緣柵（30）； 所述層疊層和第二個所述絕緣鈍化層（31）之間設有所述絕緣柵（30）； 所述阱接觸電極（42’）的上表面與所述絕緣柵（30）接觸；所述阱接觸電極（42’）的側表面與所述漂移區（20）的側面接觸；所述阱接觸電極（42’）的下表面與所述集電區（10）的上表面接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人全球能源互聯網研究院有限公司;國網浙江省電力有限公司;國家電網有限公司，其通訊地址為：102209 北京市昌平區未來科技城濱河大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。