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龍圖騰網獲悉矽力杰半導體技術(杭州)有限公司申請的專利封裝結構及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110767647B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201911118181.7，技術領域涉及：H10D80/30；該發(fā)明授權封裝結構及其制造方法是由危建;代克;顏佳佳設計研發(fā)完成，并于2019-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本封裝結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種封裝結構及其制造方法，所述封裝結構包括：第一電氣連接層；芯片，位于所述第一電氣連接層上；至少一層第二電氣連接層，位于所述芯片之上，所述第一電氣連接層和第一層所述第二電氣連接層之間通過導電柱實現(xiàn)電連接；第一類電子元件，位于最頂層的所述第二電氣連接層的上方，所述第一類電子元件通過至少一層所述第二電氣連接層與所述第一電氣連接層實現(xiàn)電連接，其中，至少在最頂層的所述第二電氣連接層與所述第一類電子元件之間設置有第二類電子元件，以增加封裝布線的靈活性，以及提高封裝的集成度，所述封裝結構還包括至少位于第一類電子元件與最頂層的所述第二電氣連接層之間的金屬柱，以增加所述封裝結構的散熱。

本發(fā)明授權封裝結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種封裝結構，其特征在于，所述封裝結構配置為模塊電源的封裝結構，所述封裝結構包括： 第一電氣連接層，所述封裝結構的外引腳位于所述第一電氣連接層的下表面； 芯片，位于所述第一電氣連接層的上表面上，所述第一電氣連接層上表面與下表面相對； 至少一層第二電氣連接層，位于所述芯片之上，所述第一電氣連接層和第一層所述第二電氣連接層之間通過導電柱實現(xiàn)電連接； 第一類電子元件，位于最頂層的所述第二電氣連接層的上方，所述第一類電子元件通過至少一層所述第二電氣連接層與所述第一電氣連接層實現(xiàn)電連接，其中，至少在最頂層的所述第二電氣連接層與所述第一類電子元件之間設置有第二類電子元件，所述第一類電子元件為電感元件，所述第二類電子元件為電容或電阻； 其中，所述封裝結構還包括金屬柱，所述金屬柱至少位于第一類電子元件與最頂層的所述第二電氣連接層之間，以增加所述封裝結構的散熱； 第二封裝體，用于囊封至少一層所述第二電氣連接層、所述金屬柱、以及所述第二類電子元件。

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