蘇州東微半導體股份有限公司龔軼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州東微半導體股份有限公司申請的專利半導體功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975576B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110191872.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體功率器件是由龔軼;毛振東;劉偉;徐真逸設計研發完成，并于2021-02-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體功率器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體功率器件，包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底內的p型體區，所述p型體區與源極金屬層接觸；所述半導體襯底包括至少一個第一區域，所述第一區域外的區域為第二區域；所述第一區域內的所述p型體區內設有第一p型體區接觸區，所述源極金屬層與所述第一p型體區接觸區接觸并形成歐姆接觸；所述第二區域內的所述p型體區與所述源極金屬層未形成歐姆接觸。本發明可以改善半導體功率器件在應用時產生的電壓震蕩、電流震蕩和EMI問題。
本發明授權半導體功率器件在權利要求書中公布了：1.半導體功率器件，其特征在于，包括： 半導體襯底； 位于所述半導體襯底內的p型體區，所述p型體區與源極金屬層接觸； 所述半導體襯底包括至少一個第一區域，所述第一區域外的區域為第二區域； 所述第一區域內的所述p型體區內設有第一p型體區接觸區，所述源極金屬層與所述第一p型體區接觸區接觸并形成歐姆接觸； 所述第二區域內的所述p型體區與所述源極金屬層未形成歐姆接觸； 所述第一區域和所述第二區域內的所述p型體區內均設置有n型源區，所述n型源區與所述源極金屬層接觸；在所述第二區域中，靠近所述第一區域一側的所述p型體區與所述第一區域中的所述p型體區的閾值電壓差小于遠離所述第一區域一側的所述p型體區與所述第一區域中的所述p型體區的閾值電壓差。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州東微半導體股份有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城西北區20棟405-406；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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