南京大學(xué);南京磊幫半導(dǎo)體科技有限公司蘆紅獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京大學(xué);南京磊幫半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體/金屬/半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)、制備方法及其應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113972319B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111211968.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D48/38；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體/金屬/半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)、制備方法及其應(yīng)用是由蘆紅;常夢(mèng)琳;袁紫媛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種半導(dǎo)體/金屬/半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)、制備方法及其應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體金屬半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一半導(dǎo)體層、金屬Al薄膜層和第二半導(dǎo)體層，其中金屬Al薄膜層夾雜在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間，金屬Al薄膜層為取向唯一的單晶且沒有孿晶。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體金屬半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)的制備方法。本發(fā)明利用兩步法外延制備的金屬Al薄膜表面平整，單晶質(zhì)量高，無孿晶，光學(xué)損耗低，半導(dǎo)體金屬半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)可用于半導(dǎo)體量子信息器件。
本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體/金屬/半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)、制備方法及其應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體金屬半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一半導(dǎo)體層、金屬Al薄膜層和第二半導(dǎo)體層，其中所述金屬Al薄膜層夾雜在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間，所述金屬Al薄膜層為取向唯一的單晶且沒有孿晶，所述金屬Al薄膜層的厚度為0.1-100nm。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南京大學(xué);南京磊幫半導(dǎo)體科技有限公司，其通訊地址為：210046 江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林大道163號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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