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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利具有堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112117277B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010391986.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權(quán)具有堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置是由林根元設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本具有堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：提供了一種具有堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：基底，具有單元陣列區(qū)和墊區(qū)；堆疊結(jié)構(gòu)，包括交替地堆疊在基底上并且在墊區(qū)中具有階梯形狀的柵電極和成型絕緣層；第一分離區(qū)，在墊區(qū)中穿透堆疊結(jié)構(gòu)，在第一方向上延伸，并且包括第一虛設(shè)絕緣層和第二虛設(shè)絕緣層，第一虛設(shè)絕緣層覆蓋第一分離區(qū)的側(cè)壁并且包括覆蓋柵電極的部分的水平部分，并且第二虛設(shè)絕緣層設(shè)置在第一虛設(shè)絕緣層之間；延伸部分，在垂直于第一方向的第二方向上從第一虛設(shè)絕緣層朝向成型絕緣層延伸；第二分離區(qū)，劃分堆疊結(jié)構(gòu)并且在第一方向上延伸；以及單元接觸插塞，穿透水平部分并且連接到柵電極。

本發(fā)明授權(quán)具有堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括： 基底，具有單元陣列區(qū)和墊區(qū)； 堆疊結(jié)構(gòu)，包括交替地堆疊在所述基底上并且在所述墊區(qū)中具有階梯形狀的柵電極和成型絕緣層； 多個(gè)第一分離區(qū)，豎直地穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，在所述墊區(qū)中在第一方向上延伸，在垂直于所述第一方向的第二方向上并排設(shè)置，并且包括第一虛設(shè)絕緣層和第二虛設(shè)絕緣層，其中，所述第一虛設(shè)絕緣層覆蓋所述多個(gè)第一分離區(qū)的內(nèi)側(cè)壁并且包括覆蓋所述柵電極中的上柵電極的上表面的部分的水平部分，并且所述第二虛設(shè)絕緣層設(shè)置在所述第一虛設(shè)絕緣層之間； 延伸部分，在所述第二方向上從所述第一虛設(shè)絕緣層朝向所述成型絕緣層延伸；以及 多個(gè)第二分離區(qū)，將所述堆疊結(jié)構(gòu)劃分為多個(gè)區(qū)域，并且在所述第一方向上延伸，并且 其中，所述多個(gè)第一分離區(qū)中的每個(gè)在所述第一方向上設(shè)置有多個(gè)單元接觸插塞，并且所述多個(gè)單元接觸插塞在所述第一虛設(shè)絕緣層中穿透所述水平部分，并且連接到所述柵電極。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國(guó)京畿道水原市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。