吉林大學王偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉吉林大學申請的專利一種光學透明的非易失性晶體管存儲器及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114203908B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111502818.X,技術領域涉及:H10K10/46;該發明授權一種光學透明的非易失性晶體管存儲器及其制備方法是由王偉;齊偉皓設計研發完成,并于2021-12-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光學透明的非易失性晶體管存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種光學透明的非易失性晶體管存儲器及其制備方法,屬于存儲器的技術領域;該存儲器為頂柵結構,從下到上依次包括襯底、源?漏電極、聚合物半導體層、鐵電柵絕緣層及柵電極;其中襯底、源?漏電極、聚合物半導體層、鐵電柵絕緣層及柵電極均為光學透明的材質,聚合物半導體層、鐵電柵絕緣層及柵電極均由溶液法制備得到;該存儲器在暗室和光照環境下測試的電學特性展現了很好的可重復性,表明其具有良好的光學穩定性、顯著的信息存儲功能、良好的工作可靠性及穩定性;該存儲器的整個制備工序采用全溶液法工藝制備、加工溫度低于150℃,具有工藝簡單、工序連續性好、可低溫制備、制備設備廉價、且制備成本低,能極大地增大其商業競爭力。
本發明授權一種光學透明的非易失性晶體管存儲器及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種光學透明的非易失性晶體管存儲器,其特征在于,為頂柵結構,從下到上依次由襯底、源-漏電極、聚合物半導體層、鐵電柵絕緣層及柵電極組成;所述襯底、源-漏電極、聚合物半導體層、鐵電柵絕緣層及柵電極均為光學透明的材質,所述聚合物半導體層、鐵電柵絕緣層及柵電極均由溶液法制備得到; 所述襯底為光學透明的玻璃,或者光學透明的聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯或聚醚砜; 所述源-漏電極為透明的氧化銦錫薄膜; 所述鐵電柵絕緣層為透明的鐵電聚合物,具體為聚(偏氟乙烯-三氟化聚乙烯)、或偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物; 所述源-漏電極的厚度為40-120納米,所述聚合物半導體層的厚度為10-150納米,所述鐵電柵絕緣層的厚度為100-1000納米,所述柵電極的厚度為100-1000納米; 所述柵電極為聚3,4-亞乙基二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸鹽。
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