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龍圖騰網獲悉北京遙測技術研究所;航天長征火箭技術有限公司申請的專利一種W頻段二維AIP微系統架構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115360499B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210862667.7，技術領域涉及：H01Q1/22；該發明授權一種W頻段二維AIP微系統架構是由鄭大農;劉德喜;祝大龍;趙明;李洪濤設計研發完成，并于2022-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種W頻段二維AIP微系統架構在說明書摘要公布了：本發明提供一種W頻段二維相控陣AIP微系統架構，包括多層有機轉接板，設置在多層轉接有機板上的天線陣列，通過BGA植球與多層轉接有機板相連的PCB基板，設置在PCB基板上的散熱材料，設置在散熱材料上的八通道發射波束形成芯片、八通道接收波速形成芯片和設置在PCB基板底側的熱沉；八通道發射波束形成芯片、八通道接收波速形成芯片和多層轉接有機板通過微凸點封裝鍵合。本發明提供的一種W頻段二維AIP微系統產品，采用相控陣AIP微系統架構，將天線與收發芯片通過封裝材料和工藝集成在一起，以此滿足W波段二維相控陣微系統低成本、小型化、高集成度的應用需求。

本發明授權一種W頻段二維AIP微系統架構在權利要求書中公布了：1.一種W頻段二維相控陣AIP微系統架構，其特征在于：包括多層有機轉接板4，設置在所述多層有機轉接板4上的天線陣列3，通過BGA植球2與所述多層有機轉接板4相連的PCB基板5，設置在所述PCB基板5上的散熱材料8，設置在所述散熱材料8上的八通道發射波束形成芯片6、八通道接收波束形成芯片7和設置在所述PCB基板5底側的熱沉9；所述八通道發射波束形成芯片6、所述八通道接收波束形成芯片7和所述多層有機轉接板4通過微凸點1封裝鍵合； 所述天線陣列3集成在所述多層有機轉接板4上，通過所述多層有機轉接板4與所述八通道發射波束形成芯片6和所述八通道接收波束形成芯片7集成為一體，供電、控制、射頻均采用C4微凸點和BGA植球進行垂直互聯； 所述W頻段二維相控陣AIP微系統架構構成標準表面貼裝器件，可以在所述PCB基板5上進行陣列拓展； 所述多層有機轉接板4的金屬信號層包括自上而下的多層微帶貼片天線的寄生貼片層M1、多層微帶貼片天線的輻射貼片層M2、第一接地層M3、供電與控制信號層M4、第二接地層M5和射頻信號水平傳輸層M6； 所述天線陣列3包括設置在所述寄生貼片層M1上的寄生貼片天線單元10，設置在所述輻射貼片層M2上的輻射貼片單元11，與所述輻射貼片單元11一端垂直相連的垂直饋電結構12和設置在所述第一接地層M3與所述第二接地層M5上的接地單元13； 所述天線陣列3為采用多層微帶貼片結構的接收與發射天線單元陣列，在所述多層有機轉接板4表面的所述寄生貼片天線單元10構成寄生貼片天線單元陣列，通過所述多層有機轉接板4內部的輻射貼片單元陣列進行射頻信號耦合傳輸；所述輻射貼片單元11陣列與垂直饋電網絡相連接，實現射頻信號傳輸； 所述八通道發射波束形成芯片6和所述八通道接收波束形成芯片7均基于硅基COMS工藝，采用晶圓級芯片封裝技術，完成芯片的表面電路分布和所述微凸點1布局制備，預備以Flip-chip裝配工藝進行封裝鍵合； 所述八通道發射波束形成芯片6接收W波段射頻輸入信號，對所述射頻輸入信號進行八分路功率均分，每一個通道射頻信號可變增益放大、移相控制、功率放大輸出；所述八通道接收波束形成芯片7接收八通道W波段射頻信號輸入，每一個通道對所述射頻輸入信號進行低噪放大、移相控制、可變增益放大，然后對八個通道射頻信號功率均分和輸出。

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