江西兆馳半導體有限公司胡加輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種發光二極管外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115332407B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210990499.X，技術領域涉及：H10H20/815；該發明授權一種發光二極管外延片及其制備方法是由胡加輝;劉春楊;呂蒙普;金從龍設計研發完成，并于2022-08-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光二極管外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種發光二極管外延片及其制備方法，該發光二極管外延片通過在Si襯底上生長第一子層，由于第一子層為低溫InN層，其粗糙的表面可以使部分位錯湮滅，降低位錯密度，然后再生長第二子層，該第二子層為高溫InN層，可以填平第一子層，使表面平整，從而提升了InN層的晶體質量，最后再生長In組分沿外延生長的方向逐漸減少的InGaN層，可降低InN層與后續GaN外延層之間的晶格失配，減少缺陷的產生，最終達到提高外延層的晶體質量的目的。
本發明授權一種發光二極管外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管外延片，其特征在于，包括緩沖層，所述緩沖層包括依次外延生長的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層和所述第二子層均為InN層，所述第三子層為InGaN層； 其中，所述第一子層的生長溫度低于所述第二子層的生長溫度，且所述第三子層的In組分沿外延生長的方向逐漸減少； 所述第一子層的生長模式為三維生長模式，ⅤⅢ比范圍為300~600； 所述第二子層的生長模式為二維生長模式，ⅤⅢ比范圍為30~60。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
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