廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司鄭錦堅獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司申請的專利半導體發光元件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115483324B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211171078.0，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權半導體發光元件及其制備方法是由鄭錦堅;丘金金;鄔元杰;常亮;高默然;畢京鋒設計研發完成，并于2022-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體發光元件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體發光元件及其制備方法，其中所述半導體發光元件從下至上依次包括：襯底、n型半導體層、第一n型中間層、第二n型中間層、量子阱層以及p型半導體層，所述第一n型中間層和第二n型中間層中摻雜Si，所述第二n型中間層中的Si與非故意摻雜C的濃度比小于第一n型中間層中的Si與非故意摻雜C的濃度比。本發明提供的半導體發光元件具有較高的發光效率以及光電轉換效率。
本發明授權半導體發光元件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體發光元件，其特征在于，從下至上依次包括：襯底、n型半導體層、第一n型中間層、第二n型中間層、量子阱層以及p型半導體層，所述第一n型中間層和第二n型中間層中摻雜Si，所述第二n型中間層中的Si與非故意摻雜C的濃度比小于第一n型中間層中的Si與非故意摻雜C的濃度比，所述第一n型中間層中的Si與非故意摻雜O的濃度比小于所述n型半導體層中的Si與非故意摻雜O的濃度比，且所述第一n型中間層中的Si與非故意摻雜C的濃度比小于所述n型半導體層中的Si與非故意摻雜C的濃度比，各結構層中的各組分濃度為平均濃度或者峰值濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司，其通訊地址為：361012 福建省廈門市海滄區蘭英路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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