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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫中微億芯有限公司申請的專利一種SRAM型可編程邏輯器件的電壓管理電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115602213B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211180499.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C8/08；該發(fā)明授權(quán)一種SRAM型可編程邏輯器件的電壓管理電路是由曹正州;徐玉婷設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-09-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種SRAM型可編程邏輯器件的電壓管理電路在說明書摘要公布了：本申請公開了一種SRAM型可編程邏輯器件的電壓管理電路，涉及SRAM型可編程邏輯器件領(lǐng)域，本申請利用SRAM型可編程邏輯器件有固定的幾個工作階段且有相應(yīng)的標(biāo)志位的特性，在配置階段，通過電壓管理電路給連接在字線電路和配置SRAM之間的字線驅(qū)動器提供大于內(nèi)核邏輯電壓的字線驅(qū)動電壓，從而可以將字線電壓抬高至字線驅(qū)動電壓提供給選中的配置SRAM，在不影響穩(wěn)定性的情況下改善配置SRAM的寫入性，優(yōu)化整個SRAM型可編程邏輯器件的性能。而且調(diào)節(jié)時的負載僅有選中的若干個配置SRAM，負載較小，可以快速響應(yīng)，可以減小對器件的工作頻率的影響。

本發(fā)明授權(quán)一種SRAM型可編程邏輯器件的電壓管理電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SRAM型可編程邏輯器件的電壓管理電路，其特征在于，所述SRAM型可編程邏輯器件中，字線電路的每個字線通道通過一個字線驅(qū)動器連接對應(yīng)的若干個配置SRAM，所述電壓管理電路連接各個字線驅(qū)動器提供字線驅(qū)動電壓WL_VDD，所述電壓管理電路還連接所有配置SRAM提供所述配置SRAM的供電電壓SRAM_VDD； 所述電壓管理電路執(zhí)行的方法包括： 當(dāng)根據(jù)初始化標(biāo)志位和配置完成標(biāo)志位確定所述SRAM型可編程邏輯器件處于配置階段時，給各個字線驅(qū)動器提供大于內(nèi)核邏輯電壓VCCINT的字線驅(qū)動電壓WL_VDD，選通的字線通道所連接的字線驅(qū)動器將所述字線通道輸出的字線電壓轉(zhuǎn)換為所述字線驅(qū)動電壓WL_VDD并提供給當(dāng)前選中的若干個配置SRAM；當(dāng)根據(jù)初始化標(biāo)志位和配置完成標(biāo)志位確定所述SRAM型可編程邏輯器件處于清零階段時，給所有配置SRAM提供小于內(nèi)核邏輯電壓VCCINT的供電電壓SRAM_VDD，使得所有配置SRAM通過一次循環(huán)完成數(shù)據(jù)清零。

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