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龍圖騰網(wǎng)獲悉阿里巴巴達(dá)摩院(杭州)科技有限公司申請的專利多超導(dǎo)材料層的制備方法及量子器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115458674B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211215561.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N60/01；該發(fā)明授權(quán)多超導(dǎo)材料層的制備方法及量子器件是由高然;鄧純青設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-09-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多超導(dǎo)材料層的制備方法及量子器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種多超導(dǎo)材料層的制備方法及量子器件。其中，該方法包括：在襯底上沉積由第一目標(biāo)區(qū)域范圍的第一硬掩膜覆蓋第一目標(biāo)區(qū)域范圍的第一超導(dǎo)材料的第一超導(dǎo)材料層；在沉積有第一超導(dǎo)材料層的襯底上沉積第二超導(dǎo)材料；將第二硬掩膜覆蓋在第二超導(dǎo)材料上；對第二硬掩膜和第二超導(dǎo)材料進(jìn)行刻蝕處理，得到由第二目標(biāo)區(qū)域范圍的第二硬掩膜覆蓋第二目標(biāo)區(qū)域范圍的第二超導(dǎo)材料的第二超導(dǎo)材料層。本發(fā)明解決了難以在同一襯底上集成多種超導(dǎo)材料的技術(shù)問題。

本發(fā)明授權(quán)多超導(dǎo)材料層的制備方法及量子器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多超導(dǎo)材料層的制備方法，其特征在于，包括： 在襯底上沉積由第一目標(biāo)區(qū)域范圍的第一硬掩膜覆蓋所述第一目標(biāo)區(qū)域范圍的第一超導(dǎo)材料的第一超導(dǎo)材料層； 在沉積有所述第一超導(dǎo)材料層的所述襯底上沉積第二超導(dǎo)材料； 將第二硬掩膜覆蓋在所述第二超導(dǎo)材料上； 對所述第二硬掩膜和所述第二超導(dǎo)材料進(jìn)行刻蝕處理，得到由第二目標(biāo)區(qū)域范圍的第二硬掩膜覆蓋所述第二目標(biāo)區(qū)域范圍的第二超導(dǎo)材料的第二超導(dǎo)材料層； 其中，在對所述第二硬掩膜和所述第二超導(dǎo)材料進(jìn)行刻蝕處理，得到由第二目標(biāo)區(qū)域范圍的第二硬掩膜覆蓋所述第二目標(biāo)區(qū)域范圍的第二超導(dǎo)材料的第二超導(dǎo)材料層之后，還包括：采用與沉積所述第一超導(dǎo)材料層和所述第二超導(dǎo)材料層相同的方法再次沉積得到第三超導(dǎo)材料層，并在沉積結(jié)束后，與所述第一超導(dǎo)材料層和所述第二超導(dǎo)材料層一并去除硬掩膜。

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