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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學重慶集成電路創新研究院申請的專利一種基于三支路電流模基準電壓源的反饋提升電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115826659B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211501312.1，技術領域涉及：G05F1/56；該發明授權一種基于三支路電流模基準電壓源的反饋提升電路是由廖栩鋒;仵少飛;杜建華;吳海沁;郭宇晨;劉簾曦設計研發完成，并于2022-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于三支路電流模基準電壓源的反饋提升電路在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于三支路電流模基準電壓源的反饋提升電路，包括電流復制電路以及反饋提升電路；電流復制電路包括三條支路，三條支路使用電流鏡復制電流，從而產生成比例的電流；反饋提升電路與所述電流復制電路的三條支路連接，用于增大反饋系數，使得運算放大器輸入端的低頻噪聲和失調等效到運算放大器輸出端時被減小為反饋系數的倒數倍，降低了第一和第二支路的電流擾動，從而削弱了運算放大器的失調和低頻噪聲對基準源輸出的影響。本發明改變了傳統電流模基準電壓源的電路結構，增大了反饋網絡的反饋系數，使得運算放大器的輸入失調和低頻噪聲等效到其輸出端時被衰減，從而提高了基準源的輸出精度。

本發明授權一種基于三支路電流模基準電壓源的反饋提升電路在權利要求書中公布了：1.一種基于三支路電流模基準電壓源的反饋提升電路，其特征在于，包括：電流復制電路以及反饋提升電路； 所述電流復制電路包括三個支路，第一支路為PTAT電流產生支路，第二支路為CTAT電流產生支路，第三支路為基準電壓源輸出支路；三條支路使用電流鏡復制電流，產生成比例的電流； 所述反饋提升電路與所述電流復制電路的三條支路連接，用于增大反饋系數，使得運算放大器輸入端的低頻噪聲和失調等效到運算放大器輸出端時被減小為反饋系數的倒數倍，降低了第一和第二支路的電流擾動，從而削弱了運算放大器的失調和低頻噪聲對基準源輸出的影響； 所述PTAT電流產生支路包括PMOS管M1，所述CTAT電流產生支路包括PMOS管M2，所述基準電壓源輸出支路包括PMOS管M3、電阻R5； 其中，PMOS管M1的柵極、PMOS管M2的柵極、PMOS管M3的柵極相連接，PMOS管M1的源極、PMOS管M2的源極、PMOS管M3的源極均接電源VDD；PMOS管M1的漏極接所述反饋提升電路的第一連接端，PMOS管M2的漏極連接所述反饋提升電路的第二連接端，PMOS管M3的漏極與電阻R5的高電位端相連接，電阻R5的另一端連接所述反饋提升電路的第三連接端；電阻R5的高電位端為基準電壓源輸出支路的輸出端，用于輸出基準電壓； 所述反饋提升電路包括：NPN管Q1、NPN管Q2、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4以及運算放大器OP； 其中，NPN管Q1的集電極接電阻R1的低電位端，電阻R4的高電位端和電阻R1的高電位端相連接，NPN管Q1的基極、電阻R2的低電位端接NPN管Q2的集電極，NPN管Q2的基極、電阻R3的高電位端和電阻R2的高電位端相連接，NPN管Q1的發射極、NPN管Q2的發射極、電阻R3的低電位端、電阻R4的低電位端均接地；運算放大器OP輸出端連接PMOS管M1的柵極與PMOS管M2的柵極之間，所述運算放大器OP的兩個輸入端以兩種連接方式連接電阻R2和電阻R1的一端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學重慶集成電路創新研究院，其通訊地址為：401331 重慶市沙坪壩區西永微電園研發樓3期1號樓1單元；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。