華南理工大學薛泉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種電磁吸透一體結構獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115764329B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211580860.8,技術領域涉及:H01Q17/00;該發明授權一種電磁吸透一體結構是由薛泉;江浩;廖紹偉;張墾設計研發完成,并于2022-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電磁吸透一體結構在說明書摘要公布了:本發明公開了一種電磁吸透一體結構,分為獨立設計的傳輸路徑與吸收路徑,傳輸路徑由接收天線、發射天線及封閉的傳輸線組成,吸收路徑由帶阻頻率選擇表面與吸波材料組成。其中,接收天線與發射天線通過傳輸線連接且分別置于傳輸線的兩端,帶阻頻率選擇表面與吸波材料置于接收天線與發射天線之間,且傳輸線穿越帶阻頻率選擇表面與吸波材料,帶阻頻率選擇表面置于接收天線的一側,吸波材料置于吸收天線的一側,帶阻頻率選擇表面與吸波材料之間存在空氣間隔。本發明的傳輸路徑與吸收路徑分別獨立設計,在工作過程中傳輸路徑與吸收路徑不會互相影響,還能實現帶內通過帶外吸收的技術效果,本發明可廣泛應用于電磁隱身領域。
本發明授權一種電磁吸透一體結構在權利要求書中公布了:1.一種電磁吸透一體結構,其特征在于,包括:傳輸路徑與吸收路徑; 所述傳輸路徑包括:接收天線、發射天線及封閉的傳輸線; 所述吸收路徑包括:帶阻頻率選擇表面與吸波材料; 其中,所述接收天線與所述發射天線通過所述傳輸線連接且分別置于所述傳輸線的兩端,所述帶阻頻率選擇表面與所述吸波材料置于所述接收天線與所述發射天線之間,且所述傳輸線穿越所述帶阻頻率選擇表面與所述吸波材料,所述帶阻頻率選擇表面置于靠近所述接收天線的一側,所述吸波材料置于靠近所述發射天線的一側,所述帶阻頻率選擇表面與所述吸波材料之間存在空氣間隔; 所述接收天線用于捕獲直接入射的目標帶內電磁波,以及經由所述帶阻頻率選擇表面反射而來的目標帶內電磁波,并將所述目標帶內電磁波轉化為導行電磁波; 所述傳輸線用于傳輸所述導行電磁波; 所述發射天線用于輻射所述導行電磁波; 所述吸波材料用于吸收除所述目標帶內電磁波外的帶外電磁波。
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