山東師范大學曹文田獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東師范大學申請的專利一種提高氧化鎵薄膜霍爾遷移率的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117026159B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310994156.5，技術領域涉及：C23C14/08；該發明授權一種提高氧化鎵薄膜霍爾遷移率的方法是由曹文田設計研發完成，并于2023-08-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種提高氧化鎵薄膜霍爾遷移率的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種提高氧化鎵薄膜霍爾遷移率的方法，屬于微電子、光電子和功率電子技術領域。本發明采用磁控濺射工藝在失配襯底表面制備氧化鎵薄膜，制備完畢后，以≥5℃min的冷卻速率將氧化鎵薄膜冷卻至室溫，即得高霍爾遷移率的α?Ga2O3薄膜。利用襯底和薄膜之間巨大的晶格失配和熱膨脹失配造成的應力應變以及過快的冷卻速率造成的抑制薄膜成核生長，保證α?Ga2O3薄膜橫截面結晶質量具有典型的三明治結構。即α?Ga2O3襯底界面區域和α?Ga2O3薄膜的頂部區域為部分結晶；中間為非晶。這種結構最大程度地減緩極性光學聲子在薄膜內的傳輸，減緩極性光學聲子對載流子的散射，極大提高了載流子遷移率。
本發明授權一種提高氧化鎵薄膜霍爾遷移率的方法在權利要求書中公布了：1.一種提高氧化鎵薄膜霍爾遷移率的方法，其特征在于，包括如下步驟： 采用磁控濺射工藝在失配襯底表面制備氧化鎵薄膜，制備完畢后，以5-8℃min的冷卻速率將氧化鎵薄膜冷卻至室溫，即得高霍爾遷移率的α-Ga2O3薄膜； 所述失配包括晶格失配和熱失配；所述失配襯底包括氟化鋇襯底、硅襯底、藍寶石襯底、玻璃襯底和砷化鎵襯底； 所述磁控濺射工藝的參數如下： 摻雜3～7wt％SnO2的氧化鎵做靶材，真空度4.0*10-4～8.0*10-4Pa，工作壓力0.3～0.7Pa，濺射功率90～110W；濺射氣體為氬氣和氧氣，制備過程中氬氣和氧氣流量分別為46～46.5Sccm和2～2.5Sccm；濺射生長速率為1.1～1.2μmh；沉積溫度為480～520℃。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東師范大學，其通訊地址為：250014 山東省濟南市歷下區文化東路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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