武漢芙麗雅電子科技有限公司郭嘯龍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢芙麗雅電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種多級(jí)大面積低溫等離子體射流發(fā)生裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN117082712B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202311002531.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H05H1/26;該發(fā)明授權(quán)一種多級(jí)大面積低溫等離子體射流發(fā)生裝置是由郭嘯龍;劉云龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2023-08-09向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種多級(jí)大面積低溫等離子體射流發(fā)生裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種多級(jí)大面積低溫等離子體射流發(fā)生裝置,包括噴頭外蓋、基座,噴頭外蓋與基座相連形成氣流集束腔及氣流分散腔結(jié)構(gòu),氣流分散腔包括第一級(jí)氣流分散腔、第二級(jí)氣流分散腔,氣流集束腔包括第一級(jí)氣流集束腔、第二級(jí)氣流集束腔、第三級(jí)氣流集束腔,基座一端設(shè)置有第一貫穿孔,基座另一端設(shè)置有不同直徑的第二貫穿孔、第三貫穿孔,基座兩端之間空間形成第一級(jí)氣流分散腔結(jié)構(gòu),基座一端與噴頭外蓋之間形成有第二級(jí)氣流分散腔結(jié)構(gòu),噴頭外蓋上部設(shè)置有第四貫穿孔,第二貫穿孔、第三貫穿孔、第四貫穿孔分別形成第一級(jí)氣流集束腔、第二級(jí)氣流集束腔、第三級(jí)氣流集束腔結(jié)構(gòu),可縮小等離子體射流之間距離,產(chǎn)生大面積均勻彌散的低溫等離子體。
本發(fā)明授權(quán)一種多級(jí)大面積低溫等離子體射流發(fā)生裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種多級(jí)大面積低溫等離子體射流發(fā)生裝置,其特征在于,包括:噴頭外蓋、基座,所述噴頭外蓋與所述基座相連形成有氣流集束腔及氣流分散腔結(jié)構(gòu),所述氣流分散腔包括第一級(jí)氣流分散腔、第二級(jí)氣流分散腔,所述氣流集束腔包括第一級(jí)氣流集束腔、第二級(jí)氣流集束腔、第三級(jí)氣流集束腔,所述基座為中空結(jié)構(gòu),所述基座一端設(shè)置有第一貫穿孔,所述基座另一端設(shè)置有不同直徑的第二貫穿孔、第三貫穿孔,所述基座兩端之間空間形成所述第一級(jí)氣流分散腔結(jié)構(gòu),所述基座一端與所述噴頭外蓋之間形成有所述第二級(jí)氣流分散腔結(jié)構(gòu),所述噴頭外蓋上部設(shè)置有第四貫穿孔,所述第二貫穿孔、第三貫穿孔、第四貫穿孔分別形成所述第一級(jí)氣流集束腔、第二級(jí)氣流集束腔、第三級(jí)氣流集束腔結(jié)構(gòu),所述第一貫穿孔包括可供外部高壓電極插入的多個(gè)第一腔體,以及可供反應(yīng)氣體輸入的第二腔體,所述第二腔體設(shè)置在多個(gè)所述第一腔體中部,且多個(gè)所述第一腔體呈圓周放射狀排布,所述反應(yīng)氣體可通過所述第二腔體均勻輸送至所述第一級(jí)氣流集束腔中。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人武漢芙麗雅電子科技有限公司,其通訊地址為:430073 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道特1號(hào)國際企業(yè)中心2棟5層05號(hào)03室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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