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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所申請的專利一種中高壓線性穩(wěn)壓器電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117148905B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202311135197.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F1/56；該發(fā)明授權(quán)一種中高壓線性穩(wěn)壓器電路是由邱旻韡;屈柯柯設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-09-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種中高壓線性穩(wěn)壓器電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種中高壓線性穩(wěn)壓器電路，屬于穩(wěn)壓器電路領(lǐng)域。本發(fā)明通過在誤差放大器核心低壓器件間并聯(lián)齊納管或者并聯(lián)MOS器件對，調(diào)整浮地電壓，確保誤差放大器工作在中高壓。本發(fā)明不需要額外的預(yù)降壓模塊，電路結(jié)構(gòu)簡單，節(jié)省芯片面積及功耗；由于預(yù)降壓模塊的電荷泵電路會顯著增加輸出噪聲，本發(fā)明不采用預(yù)降壓模塊后，電路輸出精度得以提高；另外本發(fā)明解決了預(yù)降壓模塊惡化電路壓差的問題。本發(fā)明集成在LDO反饋環(huán)路中，作為反饋環(huán)路的核心器件，根據(jù)負(fù)載或者輸入電源電壓的變化，精確地驅(qū)動功率管保證輸出電壓擁有足夠的輸出精度。

本發(fā)明授權(quán)一種中高壓線性穩(wěn)壓器電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種中高壓線性穩(wěn)壓器電路，其特征在于，所述中高壓線性穩(wěn)壓器電路包括NMOS管MN1~MN7、PMOS管MP1~MP5、電阻R1~R3、齊納管D1、等效電流源I1和I2； PMOS管MP1~MP5的源端均接電源VDD，PMOS管MP1的漏端同時接NMOS管MN2的漏端和柵端，PMOS管MP1的柵端同時接PMOS管MP2的柵端和漏端；PMOS管MP4的漏端接NMOS管MN3的漏端，PMOS管MP4的柵端同時接PMOS管MP3的柵端和漏端；PMOS管MP5的柵端接PMOS管MP4的漏端，PMOS管MP5的漏端接電阻R1的第一端，電阻R1的第二端接電阻R2的第一端，電阻R2的第二端接地； NMOS管MN6的柵端和NMOS管MN7的柵端共同連接?xùn)艠O電壓VB1，NMOS管MN6的漏端接PMOS管MP2的漏端，NMOS管MN6的源端接NMOS管MN4的漏端，NMOS管MN7的漏端接PMOS管MP3的漏端，NMOS管MN7的源端接NMOS管MN5的漏端，NMOS管MN4的柵端連接參考電壓VREF，NMOS管MN5的柵端連接在電阻R1的第二端和電阻R2的第一端之間；NMOS管MN4的源端和NMOS管MN5的源端共同連接等效電流源I2的輸入端，等效電流源I2的輸出端接地； NMOS管MN2的柵端和NMOS管MN3的柵端互聯(lián)，NMOS管MN2的源端和NMOS管MN3的源端共同連接NMOS管MN1的漏端和等效電流源I1的輸出端；NMOS管MN1的源端接等效電流源I1的輸入端，NMOS管MN1的柵端連接?xùn)艠O電壓VB2；NMOS管MN1的漏端連接齊納管D1的正極，齊納管D1的負(fù)極連接電阻R3的第二端，電阻R3的第一端接電源VDD； NMOS管MN1~MN7、PMOS管MP1~MP4、電阻R3、齊納管D1、等效電流源I1和I2構(gòu)成誤差放大器；PMOS管MP5為功率管；電阻R1、電阻R2為反饋電阻。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)惠河路5號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。