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龍圖騰網獲悉深圳市昇維旭技術有限公司申請的專利介電弛豫量測結構、系統和方法以及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117080207B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311283573.5，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權介電弛豫量測結構、系統和方法以及半導體器件是由謝明宏設計研發完成，并于2023-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本介電弛豫量測結構、系統和方法以及半導體器件在說明書摘要公布了：本公開涉及一種介電弛豫量測結構、系統和方法以及半導體器件，介電弛豫量測結構用于測量半導體器件中電容管的介電弛豫情況，介電弛豫量測結構包括與電容管中導體管套連接的第一導體層、與電容管中導體管芯連接的第二導體層以及夾在兩者之間并與電容管中介電部連接的介電絕緣層；且還包括與第一導體層電性連接的第一充電探針和第一量測探針、與第二導體層電性連接的第二充電探針和第二量測探針，第一充電探針和第二充電探針用于與充電裝置相導通，實現為電容管進行充電；第一量測探針和第二量測探針用于在充電裝置停止向電容管充電的同時與檢測裝置相導通，以檢測電容管的介電弛豫情況。本公開方案可提高介電弛豫檢測的精準性。

本發明授權介電弛豫量測結構、系統和方法以及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種介電弛豫量測結構，用于測量半導體器件中電容管的介電弛豫情況，所述半導體器件包括襯底，所述電容管形成在所述襯底上，所述電容管包括導體管套、導體管芯及介電部，所述導體管芯在與所述襯底相交的方向延伸，所述導體管套至少套設在所述導體管芯的外周側，所述介電部形成在所述導體管套和所述導體管芯之間；其特征在于，所述介電弛豫量測結構形成在所述襯底上，且包括： 第一導體層，其覆蓋所述導體管套的頂端并與之相接觸，所述第一導體層具有第一鏤空孔，在所述襯底上的正投影中：所述介電部投影在所述第一鏤空孔內； 介電絕緣層，其一部分形成在所述第一導體層遠離所述襯底的一側，另一部分位于所述第一鏤空孔內并覆蓋所述介電部的頂端，所述介電絕緣層具有第二鏤空孔，在所述襯底上的正投影中：所述第二鏤空孔投影在所述第一鏤空孔內，所述導體管芯投影在所述第二鏤空孔內； 第二導體層，其一部分形成在所述介電絕緣層遠離所述襯底的一側，另一部分位于所述第二鏤空孔內并與所述導體管芯的頂端相接觸； 充電探針組，包括與所述第一導體層電性連接的第一充電探針和與所述第二導體層電性連接的第二充電探針，所述第一充電探針和所述第二充電探針用于與充電裝置相導通，實現為所述電容管進行充電； 量測探針組，包括與所述第一導體層電性連接的第一量測探針和與所述第二導體層電性連接的第二量測探針，所述第一量測探針和所述第二量測探針用于在所述充電裝置停止向所述電容管充電的同時與檢測裝置相導通，以檢測所述電容管的介電弛豫情況。

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