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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第五十八研究所申請的專利一種抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117193454B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311357340.5，技術領域涉及：G05F1/56；該發明授權一種抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路是由邱旻韡;屈柯柯設計研發完成，并于2023-10-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路在說明書摘要公布了：本發明公開一種抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路，屬于模擬集成電路領域。所述抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路包括主環路和次環路，所述主環路用于改善單粒子效應；所述次環路與所述主環路并聯設置，跳過速度慢的器件直接控制所述主環路，及時糾正單粒子瞬變引起的誤差。本發明利用雙環路控制結構，提高環路響應速度，及時糾正單粒子瞬變引起的誤差，克服了傳統三模冗余誤差放大器由于器件失配效應導致的三份誤差放大器電性能差異，惡化環路調整能力；利用在重要節點增加二極管和電容的技術來改善抗單粒子瞬態性能，所需電路面積和功耗大幅降低，降低電路成本。

本發明授權一種抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路在權利要求書中公布了：1.一種抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路，其特征在于，所述抗單粒子效應輻射加固線性穩壓器電路包括PMOS晶體管MP1~MP5、NMOS晶體管MN1~MN6、二極管D1、電阻R1~R4、電容C1~C5、誤差放大器EA以及等效電流源I1； PMOS晶體管MP1、MP2和MP3的柵極均連接VB信號，源極均連接電源，PMOS晶體管MP1的漏極連接NMOS晶體管MN1的漏極，PMOS晶體管MP2的漏極同時連接自身柵極和NMOS晶體管MN5的漏極，PMOS晶體管MP3的漏極連接NMOS晶體管MN6的漏極； NMOS晶體管MN1的柵極同時接自身漏極和NMOS晶體管MN2的柵極，NMOS晶體管MN5的柵極和NMOS晶體管MN6的柵極均接參考電壓VREF，NMOS晶體管MN5的源極接NMOS晶體管MN3的漏極，NMOS晶體管MN3的柵極連接NMOS晶體管MN4的柵極，NMOS晶體管MN6的源極接NMOS晶體管MN2的漏極；電容C1的第一端同時接NMOS晶體管MN1的柵極和NMOS晶體管MN2的柵極，NMOS晶體管MN1的源極、NMOS晶體管MN2的源極、NMOS晶體管MN3的源極和電容C1的第二端均接地； 二極管D1的正極同時接PMOS晶體管MP3的漏極和NMOS晶體管MN6的漏極，二極管D1的負極接電源；電容C2的第一端接電源，第二端接電阻R3的第一端，電阻R3的第二端接二極管D1的正極；PMOS晶體管MP4的源極接電源，柵極同時接電阻R3的第二端和二極管D1的正極，漏極同時接誤差放大器EA的電源輸入端、PMOS晶體管MP5的源極和線性穩壓器電路的輸出端VOUT；誤差放大器EA的正端連接參考電壓VREF，負端同時連接電阻R1的第一端和電容C5的第一端，輸出端同時連接PMOS晶體管MP5的柵極、電阻R4的第一端和電容C4的第一端；PMOS晶體管MP5的漏極連接NMOS晶體管MN4的漏極和柵極，NMOS晶體管MN4的源極接地； 等效電流源I1的正極連接電源，負極同時連接電阻R2的第一端和線性穩壓器電路的輸出端VOUT，電阻R2的第二端同時接電阻R1的第一端和電容C5的第一端，電阻R4的第二端接電容C3的第一端；電容C3的第二端、電容C4的第二端、電阻R1的第二端和電容C5的第二端均接地。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第五十八研究所，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區惠河路5號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。