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龍圖騰網獲悉北京燕東微電子科技有限公司申請的專利VDMOS結構及功率半導體器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223274430U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422379523.3，技術領域涉及：H10D30/66；該實用新型VDMOS結構及功率半導體器件是由鄧建軍;常東旭;李雨衡設計研發完成，并于2024-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本VDMOS結構及功率半導體器件在說明書摘要公布了：本實用新型提供了一種VDMOS結構及功率半導體器件，包括襯底，位于襯底一側的外延層和柵極結構；位于外延層中的阱區，其位于柵極結構的兩側；位于阱區中的源極區、摻雜區和金屬層，源極區和摻雜區自外延層的頂面向外延層內延伸，金屬層位于摻雜區與阱區的底面之間，且金屬層的底面高于阱區的底面；位于襯底另一側的漏極；襯底、外延層和源極區為第一摻雜類型，阱區和摻雜區為第二摻雜類型。這樣，阱區中源極區下方的電阻區因金屬層和摻雜區的存在，電阻減小，產生的正向壓降小于寄生晶體管的正偏置電壓，寄生晶體管斷開，空穴電流沿阱區、金屬層、摻雜區和源極的路徑流出，避免了因雪崩擊穿導致器件失效的風險，進而提高功率半導體器的可靠性。

本實用新型VDMOS結構及功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種VDMOS結構，其特征在于，包括： 襯底； 位于所述襯底一側的外延層，所述外延層具有朝向襯底的底面和遠離襯底的頂面； 位于所述外延層的頂面上的柵極結構，所述柵極結構包括層疊設置的柵極介質層和柵極； 位于所述外延層中的阱區，所述阱區自所述外延層的頂面向所述外延層中延伸，所述阱區的底面位于所述外延層中，所述阱區位于所述柵極結構的兩側； 位于所述阱區中的源極區、層疊設置的摻雜區和金屬層，其中，所述源極區和所述摻雜區分別自所述外延層的頂面向所述外延層內延伸；沿阱區寬度方向上，所述源極區的邊沿與所述摻雜區的邊沿相切；所述金屬層位于所述摻雜區與所述阱區的底面之間，且所述金屬層的底面高于所述阱區的底面； 位于所述襯底另一側的漏極； 其中，所述襯底、所述外延層和所述源極區為第一摻雜類型，所述阱區、所述摻雜區為第二摻雜類型，第一摻雜類型和第二摻雜類型不同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京燕東微電子科技有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區經海四路51號院1號樓5層516；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。