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龍圖騰網(wǎng)獲悉甬矽半導(dǎo)體(寧波)有限公司申請的專利蝕刻裝置和蝕刻設(shè)備獲國家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN223273214U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請?zhí)?專利號為：202422608996.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該實(shí)用新型蝕刻裝置和蝕刻設(shè)備是由何正鴻;韓新;陶毅;田旭設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-10-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本蝕刻裝置和蝕刻設(shè)備在說明書摘要公布了：本實(shí)用新型提供了一種蝕刻裝置和蝕刻設(shè)備，涉及蝕刻技術(shù)領(lǐng)域。該蝕刻裝置包括反應(yīng)腔室、晶圓放置平臺、保護(hù)氣環(huán)和氣源，晶圓放置平臺設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)，并具有一用于放置晶圓的放置托盤，保護(hù)氣環(huán)設(shè)置在晶圓放置平臺的側(cè)壁，并環(huán)設(shè)于放置托盤，且晶圓放置平臺具有一氣孔通道，氣孔通道的一端連通至保護(hù)氣環(huán)，另一端連通至氣源，氣源通過氣孔通道向保護(hù)氣環(huán)通氣，以使保護(hù)氣環(huán)膨脹并覆蓋晶圓的邊緣區(qū)域。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型通過增設(shè)保護(hù)氣環(huán)，在蝕刻時利用氣源通過氣孔通道向保護(hù)氣環(huán)通氣，從而使得保護(hù)氣環(huán)充氣后覆蓋在晶圓的邊緣區(qū)域，從而能夠?qū)A的邊緣進(jìn)行保護(hù)，避免蝕刻過程中對晶圓邊緣的過度蝕刻，保證晶圓蝕刻質(zhì)量。

本實(shí)用新型蝕刻裝置和蝕刻設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種蝕刻裝置，其特征在于，包括反應(yīng)腔室、晶圓放置平臺、保護(hù)氣環(huán)和氣源，所述晶圓放置平臺設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)，并具有一用于放置晶圓的放置托盤，所述保護(hù)氣環(huán)設(shè)置在所述晶圓放置平臺的側(cè)壁，并環(huán)設(shè)于所述放置托盤，且所述晶圓放置平臺具有一氣孔通道，所述氣孔通道的一端連通至所述保護(hù)氣環(huán)，另一端連通至所述氣源，所述氣源通過所述氣孔通道向所述保護(hù)氣環(huán)通氣，以使所述保護(hù)氣環(huán)膨脹并覆蓋所述晶圓的邊緣區(qū)域。

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