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龍圖騰網獲悉江蘇應能微電子股份有限公司申請的專利一種溝槽式功率金氧半場效晶體管及其制備工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120282541B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510774266.X，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權一種溝槽式功率金氧半場效晶體管及其制備工藝是由李振道;孫明光;朱偉東設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種溝槽式功率金氧半場效晶體管及其制備工藝在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體器件領域，公開了一種溝槽式功率金氧半場效晶體管及其制備工藝，包括以下步驟：S1：以布植方式完成第二導電類型Body層，并在主動區內完成第一導電類型Body層、若干溝槽Ⅰ以及在終端區內完成溝槽Ⅱ；S2：在柵極氧化層表面填充第一導電類型多晶硅；S3：對第一導電類型多晶硅進行干蝕刻，使得溝槽Ⅱ內的凹洞Ⅱ延伸至底部的柵極氧化層；S4：在第一導電類型多晶硅表面填充第二導電類型多晶硅；S5：對第二導電類型多晶硅進行濕蝕刻，使得第二導電類型多晶硅僅填充在凹洞Ⅱ；S6：在器件表面依次制作層間介質層、柵極金屬和源極金屬。本發明可以在不額外多出一道光罩成本的前提下，形成NPN的柵源端靜電保護設計，從而實現器件的ESD保護。

本發明授權一種溝槽式功率金氧半場效晶體管及其制備工藝在權利要求書中公布了：1.一種溝槽式功率金氧半場效晶體管的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟： S1：在第一導電類型外延層以布植方式完成第二導電類型Body層，并在主動區內完成第一導電類型Body層、若干溝槽Ⅰ（003a）以及在終端區內完成溝槽Ⅱ（003b）； S2：以900~1100℃的溫度在器件表面形成柵極氧化層（004），并在柵極氧化層（004）表面填充第一導電類型多晶硅，在溝槽Ⅰ（003a）上方的第一導電類型多晶硅表面形成凹洞Ⅰ（005a），在溝槽Ⅱ（003b）內第一導電類型多晶硅表面形成凹洞Ⅱ（005b）； S3：對第一導電類型多晶硅進行干蝕刻，使得溝槽Ⅱ（003b）內的凹洞Ⅱ（005b）延伸至底部的柵極氧化層（004），將其兩側的第一導電類型多晶硅分斷； S4：在第一導電類型多晶硅表面填充第二導電類型多晶硅，并在溝槽Ⅱ（003b）上方的第二導電類型多晶硅表面形成凹洞Ⅲ（005c）； S5：對第二導電類型多晶硅進行濕蝕刻，使得第二導電類型多晶硅僅填充在凹洞Ⅱ（005b），確保第一導電類型多晶硅表面去除第二導電類型多晶硅； S6：在器件表面依次制作層間介質層（007）、柵極金屬（009a）和源極金屬（009b），得到溝槽式功率金氧半場效晶體管。

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