浙江大學俞濱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利可編程非易失性鐵電肖特基二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120321967B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510805231.8,技術領域涉及:H10D8/60;該發明授權可編程非易失性鐵電肖特基二極管及其制造方法是由俞濱;王寶玉;薛飛設計研發完成,并于2025-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本可編程非易失性鐵電肖特基二極管及其制造方法在說明書摘要公布了:本申請涉及可編程非易失性鐵電肖特基二極管及其制造方法。該可編程非易失性鐵電肖特基二極管包括:控制結構,包括絕緣層和導電層;及二極管結構,二極管結構位于絕緣層背向導電層的一側,二極管結構包括鐵電半導體層和半金屬層,鐵電半導體層的材料包括二維α?In2Se3,半金屬層肖特基接觸于鐵電半導體層,半金屬層的材料包括二維1T’?MoTe2。該可編程非易失性鐵電肖特基二極管填補了鐵電材料應用的技術空白。
本發明授權可編程非易失性鐵電肖特基二極管及其制造方法在權利要求書中公布了:1.可編程非易失性鐵電肖特基二極管,其特征在于,包括: 控制結構,包括絕緣層和導電層;及 二極管結構,所述二極管結構位于所述絕緣層背向所述導電層的一側,所述二極管結構包括鐵電半導體層和半金屬層,所述鐵電半導體層的材料包括二維α-In2Se3,所述半金屬層肖特基接觸于所述鐵電半導體層,所述半金屬層的材料包括二維1T’-MoTe2。
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