蘇州易芯半導體有限公司顧楊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州易芯半導體有限公司申請的專利一種防串擾發光單元及其制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120344065B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510814048.4,技術領域涉及:H10H29/01;該發明授權一種防串擾發光單元及其制作方法是由顧楊;翟峰;周露;唐彪設計研發完成,并于2025-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種防串擾發光單元及其制作方法在說明書摘要公布了:本發明涉及半導體顯示裝置技術領域,具體涉及一種防串擾發光單元及其制作方法,在基板上從下至上依次制作色過濾層、色轉換層、無機層、芯片鍵合層、微發光二極管層和反射層;在反射層表面制作不連續的填平層;對基板進行研磨減薄、切割和劈裂操作,形成獨立的分立器件。通過設置覆蓋封裝結構的反射層以及不連續的芯片鍵合層,量子點和微發光二極管發出的光均被反射層反射,避免顯示單元之間光串擾,反射光再次激發量子點發出光,提高光效。芯片鍵合層和填平層均為不連續設置,避免大尺寸制作時,溫度升降引起的基板翹曲。在進行切割和劈裂時,能夠減少激光的工藝次數,提升量產效率,去掉有機層能夠極大地避免芯片雙胞問題的出現。
本發明授權一種防串擾發光單元及其制作方法在權利要求書中公布了:1.一種防串擾發光單元的制作方法,其特征在于,包括: 在基板上從下至上依次制作色過濾層和色轉換層; 在色過濾層未被遮蓋的表面及色轉換層的表面和側面制作連續的無機層; 在無機層上制作不連續的芯片鍵合層; 在芯片鍵合層上轉移制作藍色微發光二極管層;微發光二極管層的正投影面積不大于芯片鍵合層; 在無機層未被遮蓋的表面和側面、芯片鍵合層露出的表面和側面以及微發光二極管層外露的表面和側面上制作反射層;在反射層表面制作不連續的填平層; 其中,微發光二極管層的電極部分露出填平層,以便制作拓展電極,微發光二極管層露出的表面除了用于制作拓展電極的區域外,均被反射層覆蓋,且反射層設置在拓展電極之下; 對基板進行包括研磨減薄、激光切割和劈裂的操作,形成獨立的分立器件。
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