中科院南京天文儀器有限公司郭鑫獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中科院南京天文儀器有限公司申請的專利一種基于雙硅金鍵合MEMS變形鏡及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120405938B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510910349.7，技術領域涉及：G02B26/08；該發明授權一種基于雙硅金鍵合MEMS變形鏡及其制備方法是由郭鑫;李成;朱建勛設計研發完成，并于2025-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于雙硅金鍵合MEMS變形鏡及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于雙硅金鍵合MEMS變形鏡及其制備方法，所述MEMS變形鏡包括硅片襯底、氮化硅絕緣層、下層多晶硅電極、第一磷硅玻璃犧牲層、上層叉指電極、第一鍵合電極層、SOI片結構、第二鍵合電極層、金基反射鏡面。其制備方法依次經過硅片襯底預處理、氮化硅絕緣層沉積、下層多晶硅電極形成、第一磷硅玻璃犧牲層沉積與減薄、上層叉指電極及相關結構刻蝕、第一鍵合電極層形成、SOI片預處理與溶液通道形成、第二磷硅玻璃犧牲層填充、第二鍵合電極層形成、金與金熱壓鍵合、深硅刻蝕、結構釋放與退火處理、金基反射鏡面制備與封裝。本發明能夠簡化工藝流程，提升光學系統校正性能，具有廣闊的市場應用前景。
本發明授權一種基于雙硅金鍵合MEMS變形鏡及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于雙硅金鍵合MEMS變形鏡，其特征在于，包括硅片襯底、氮化硅絕緣層、下層多晶硅電極、第一磷硅玻璃犧牲層、原位摻雜多晶硅層、第一鍵合電極層、SOI片結構、第二鍵合電極層和金基反射鏡面； 在所述硅片襯底上，由近及遠依次設置氮化硅絕緣層、下層多晶硅電極、第一磷硅玻璃犧牲層、原位摻雜多晶硅層； 在原位摻雜多晶硅層上刻蝕形成上層叉指電極、應力釋放孔和溶液導流溝槽； 所述第一鍵合電極層設置在上層叉指電極上； 所述SOI片結構設置在第一鍵合電極層上； 所述SOI片結構的頂層硅被刻蝕并圖案化后形成溶液通道； 所述第二鍵合電極層設置在SOI片結構的頂層硅上； 所述第一鍵合電極層和第二鍵合電極層執行金與金鍵合，完成雙面硅片連接； 所述SOI片結構經深硅刻蝕和結構釋放后，SOI片結構的頂層硅背面形成鏡面支撐層； 所述金基反射鏡面設置在鏡面支撐層上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中科院南京天文儀器有限公司，其通訊地址為：210037 江蘇省南京市玄武區花園路6-10號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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