中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司鄭二虎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112542376B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910892499.4，技術領域涉及：H01L21/033；該發明授權半導體結構及其形成方法是由鄭二虎設計研發完成，并于2019-09-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供初始基底，初始基底上具有若干相互分立的掩膜層；在初始基底上形成犧牲膜，犧牲膜覆蓋掩膜層的側壁表面和頂部表面，且犧牲膜的材料中的氧具有第一原子百分比；在犧牲膜內形成犧牲開口，且所述犧牲開口底部暴露出至少一個掩膜層頂部表面；形成所述犧牲開口之后，采用第一刻蝕工藝，以所述犧牲膜為掩膜，刻蝕所述掩膜層，直至暴露出初始基底表面；所述第一刻蝕工藝之后，對所述犧牲膜進行改性處理，使所述犧牲膜形成犧牲層，所述犧牲層的材料中的氧具有第二原子百分比，且所述第二原子百分比小于第一原子百分比；所述改性處理之后，去除所述犧牲層。所述方法有利于降低工藝成本，節省工藝時間。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始基底，所述初始基底上具有若干相互分立的掩膜層； 在所述初始基底上形成犧牲膜，所述犧牲膜覆蓋所述掩膜層的側壁表面和頂部表面，且所述犧牲膜的材料中的氧具有第一原子百分比； 在所述犧牲膜內形成犧牲開口，且所述犧牲開口底部暴露出至少一個掩膜層頂部表面； 形成所述犧牲開口之后，采用第一刻蝕工藝，以所述犧牲膜為掩膜，刻蝕所述掩膜層，直至暴露出初始基底表面； 所述第一刻蝕工藝之后，對所述犧牲膜進行改性處理，使所述犧牲膜形成犧牲層，所述犧牲層的材料中的氧具有第二原子百分比，且所述第二原子百分比小于第一原子百分比； 所述改性處理之后，去除所述犧牲層； 所述犧牲膜的材料中還含有碳元素。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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