東京毅力科創株式會社后平拓獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利處理被加工物的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695109B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210338506.8，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權處理被加工物的方法是由后平拓;工藤仁設計研發完成，并于2018-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本處理被加工物的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種處理被加工物的方法，該方法包括：蝕刻步驟，其包括通過生成包含碳氟化合物氣體和或氫氟烴氣體的處理氣體的等離子體，來在低溫下對載置在載置臺上的被加工物的蝕刻對象膜進行蝕刻的主蝕刻；在蝕刻步驟剛執行后或主蝕刻剛執行后，使靜電吸盤的溫度上升的步驟；和在將靜電吸盤的溫度設定為高的溫度的狀態下將被加工物從腔室搬出的步驟。由此，能夠在等離子體蝕刻結束后至被加工物從腔室搬出之前，將被加工物上的沉積物除去或使其量減少。
本發明授權處理被加工物的方法在權利要求書中公布了：1.一種用等離子體處理裝置來處理被加工物的方法，其特征在于： 所述等離子體處理裝置包括： 提供腔室的腔室主體； 載置臺，其設置在所述腔室內，且具有用于保持載置在所述載置臺上的被加工物的靜電吸盤；和 調節所述靜電吸盤的溫度的溫度調節機構， 所述處理被加工物的方法包括： 通過在所述腔室內生成包含碳氟化合物氣體和或氫氟烴氣體的處理氣體的等離子體，來對載置在所述靜電吸盤上的被加工物的蝕刻對象膜進行蝕刻的步驟，其中，該步驟包含在利用所述溫度調節機構將所述靜電吸盤的溫度設定為-30℃以下的狀態下蝕刻所述蝕刻對象膜的主蝕刻，和在執行了所述主蝕刻之后進一步對所述蝕刻對象膜進行蝕刻的過蝕刻；以及 在所述被加工物被載置在所述靜電吸盤上的狀態下，利用所述溫度調節機構使所述靜電吸盤的溫度上升，來減少形成在所述被加工物上的包含碳和氟的沉積物的步驟， 使所述靜電吸盤的溫度上升的步驟，在所述主蝕刻與所述過蝕刻之間執行，以使得所述靜電吸盤的溫度高于-30℃且低于0℃，或者，在所述過蝕刻的執行期間和所述過蝕刻執行之后的期間中的至少一個期間執行，以使得所述靜電吸盤的溫度為0℃以上。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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