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龍圖騰網獲悉蘇州科技大學申請的專利稀土摻雜GaN納米薄膜的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115000252B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210683697.1，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權稀土摻雜GaN納米薄膜的制備方法是由王曉丹;羅璇;陳華軍;王丹;毛紅敏;葛麗娟;曾雄輝設計研發完成，并于2022-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本稀土摻雜GaN納米薄膜的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種稀土摻雜GaN納米薄膜的制備方法，包括以下步驟：步驟一、在反應器中第一進氣通道、第三進氣通道內分別設置有鎵金屬蒸發池、稀土銪金屬蒸發池，所述襯底設置于反應器的底部；步驟二、以氮氣和氫氣的混合氣體作為載氣混合有氨氣從第二進氣通道進入反應器內，氯化氫作為反應氣體分別流過設置有鎵金屬蒸發池、稀土銪金屬蒸發池的第一進氣通道、第三進氣通道，從而在襯底上形成銪摻GaN單晶薄膜；步驟三、將步驟二獲得的銪摻GaN單晶薄膜裝入爐中退火，退火條件為：氮氣或和氨氣，退火溫度為1000~1200℃，退火時間為0.5~4h。本發明制備方法獲得的GaN納米薄膜稀土離子摻入均勻并能使得稀土離子進入GaN晶格。

本發明授權稀土摻雜GaN納米薄膜的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種稀土摻雜GaN納米薄膜的制備方法，其特征在于：所述制備方法基于一反應器（1），此反應器（1）一側在豎直方向上依次設置有第一進氣通道（2）、第二進氣通道（3）和第三進氣通道（4），另一側具有排氣通道（5），一襯底（8）位于第一進氣通道（2）、第二進氣通道（3）、第三進氣通道（4）與排氣通道（5）之間； 包括以下步驟： 步驟一、在反應器（1）中第一進氣通道（2）、第三進氣通道（4）內分別設置有鎵金屬蒸發池（6）、稀土銪金屬蒸發池（7），所述襯底（8）設置于反應器（1）的底部； 步驟二、以氮氣和氫氣的混合氣體作為載氣混合有氨氣從第二進氣通道（3）進入反應器（1）內，氯化氫作為反應氣體分別流過設置有鎵金屬蒸發池（6）、稀土銪金屬蒸發池（7）的第一進氣通道（2）、第三進氣通道（4），從而在襯底（8）上形成銪摻GaN單晶薄膜；所述鎵金屬蒸發池（6）的溫度為850~900℃，所述稀土銪金屬蒸發池（7）的溫度為600~1000℃； 步驟三、將步驟二獲得的銪摻GaN單晶薄膜裝入爐中退火，退火條件為：氮氣或和氨氣，退火溫度為1000~1200℃，退火時間為0.5~4h。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州科技大學，其通訊地址為：215009 江蘇省蘇州市高新區科銳路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。