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          沈陽工業大學董志鵬獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉沈陽工業大學申請的專利一種基準電壓可調的帶隙基準電壓源獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116560441B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310136997.2,技術領域涉及:G05F1/56;該發明授權一種基準電壓可調的帶隙基準電壓源是由董志鵬;任建;何炳輝;劉松睿;袁申;辛曉寧;劉斌;姜龍設計研發完成,并于2023-02-20向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種基準電壓可調的帶隙基準電壓源在說明書摘要公布了:本發明提供了一種基準電壓可調的帶隙基準電壓源,包括第一部分電路、第二部分電路以及第三部分電路;第一部分電路與第二部分電路之間相連接,第二部分電路端與第三部分電路之間相連接,且第一部分電路與第二部分電路呈鏡像對稱結構,第一部分電路包括:第一開關級電路、第二開關級電路、第三開關級電路、第四開關級電路、鏡像開關級電路和串聯的NMOS管電路;第一開關級電路的漏端與鏡像開關級電路的漏端相連,能夠解決現有的帶隙基準電壓源虛通過放大器作為電壓耦合的器件,進行電機調節,進而需要顧及環路的穩定性,導致電路的抗干擾能力弱,是的電路的設計周期較長的問題。

          本發明授權一種基準電壓可調的帶隙基準電壓源在權利要求書中公布了:1.一種基準電壓可調的帶隙基準電壓源,其特征在于,包括第一部分電路、第二部分電路以及第三部分電路; 第一部分電路與第二部分電路之間相連接,第二部分電路端與第三部分電路之間相連接; 第一部分電路包括:第一開關級電路、第二開關級電路、第三開關級電路、第四開關級電路、鏡像開關級電路和串聯的NMOS管電路; 第一開關級電路的漏端與鏡像開關級電路的漏端相連,串聯的NMOS管電路與第二開關級電路的漏端相連,第三開關級電路的漏端與串聯的NMOS管電路的另一端相連,第四開關級電路的柵段與第三開關級電路的漏端相連; 第一開關級電路包括PMOS晶體管M6和PMOS晶體管M7; PMOS晶體管M6的源極接VDD,PMOS晶體管M6的柵極接啟動電壓ENE,PMOS晶體管M6的漏極接VBP1,PMOS晶體管M7的源極接VDD,PMOS晶體管M7的柵極接ENB,PMOS晶體管M7的漏極接VBN; 第二開關級電路包括PMOS晶體管M0,PMOS晶體管M0的源極接VDD,PMOS晶體管M0的柵極接啟動電壓的邏輯反ENB,PMOS晶體管M0的漏極接電阻串的第一端; 第三開關級電路包括NMOS晶體管M10,NMOS晶體管M10的源極接VSS,NMOS晶體管M10的柵極接VBN,NMOS晶體管M10的漏極接電阻串的第二端; 第四開關級電路包括NMOS晶體管M8和NMOS晶體管M9,NMOS晶體管M8的源極接NMOS晶體管M9的漏端,NMOS晶體管M8的柵極接電阻串的第二端,NMOS晶體管M8的漏極接VBP1; NMOS晶體管M9的源極接VSS,NMOS晶體管M9的柵極接啟動電壓ENE; 第二部分電路包括:共源共柵電流鏡電路、PNP晶體管鏡像網絡和VREF輸出電流鏡通路;共源共柵電流鏡電路的共柵端連接VBP1; 共源共柵電流鏡電路的S端并聯連接第三部分電路的漏端與PNP晶體管鏡像網絡相連接,VREF輸出電流鏡通路與共源共柵電流鏡電路相連接; 第三部分電路包括:電阻、NMOS網絡和數字選通網絡,數字選通網絡連接NMOS的柵端,電阻和NMOS網絡連接共源共柵電流鏡電路的源端。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人沈陽工業大學,其通訊地址為:110870 遼寧省沈陽市鐵西區經濟技術開發區沈遼西路111號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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