江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司郭軻科獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網獲悉江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司申請的專利一種閃耀光柵及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117031598B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310925140.9,技術領域涉及:G02B5/18;該發明授權一種閃耀光柵及其制備方法是由郭軻科;林政勛設計研發完成,并于2023-07-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種閃耀光柵及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種閃耀光柵及其制備方法,所述制備方法包括:在目標襯底上沉積厚度均勻的二氧化鈦光學薄膜;在所述二氧化鈦光學薄膜上通過涂布工藝旋涂壓印膠;對壓印膠進行壓印進行圖形化;選擇與目標襯底刻蝕二氧化鈦光學薄膜匹配的電感耦合等離子刻蝕參數;所述電感耦合等離子刻蝕參數用于通過刻蝕工藝在目標襯底上刻蝕二氧化鈦光學薄膜得到對應的閃耀光柵;基于所述電感耦合等離子刻蝕參數,采用對應的電感耦合等離子刻蝕工藝將納米壓印后的圖形進行轉移,從而在目標襯底上刻蝕二氧化鈦光學薄膜得到對應的閃耀光柵。本發明通過制備工藝的設計和參數的優化,制備出粗糙度低、線密度高、圖形保真性好、閃耀角一致性好、均勻性高的閃耀光柵。
本發明授權一種閃耀光柵及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種閃耀光柵的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括: 在目標襯底上沉積厚度均勻的二氧化鈦光學薄膜; 在所述二氧化鈦光學薄膜上通過涂布工藝旋涂壓印膠; 對壓印膠進行壓印進行圖形化,形成掩膜層; 選擇與目標襯底刻蝕二氧化鈦光學薄膜匹配的電感耦合等離子刻蝕參數;其中,所述電感耦合等離子刻蝕參數用于通過刻蝕工藝在目標襯底上刻蝕二氧化鈦光學薄膜得到對應的閃耀光柵; 基于所述電感耦合等離子刻蝕參數,采用對應的電感耦合等離子刻蝕工藝將納米壓印后的圖形進行轉移,從而在目標襯底上刻蝕二氧化鈦光學薄膜得到對應的閃耀光柵; 所述掩膜層的材料與TiO2光學薄膜的刻蝕選擇比為1:1,實現對閃耀角的精確控制。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司,其通訊地址為:226400 江蘇省南通市如東縣掘港街道金山路1號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。