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								      本發(fā)明以提供進一步改善了抗蝕劑下層膜的固化性、耐蝕刻性、平坦化性、埋入性等特性的抗蝕劑下層膜形成用組合物、抗蝕劑下層膜、抗蝕劑圖案的形成方法和半導體裝置的制造方法作為目的。解決手段是一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含聚合物和溶劑，上述聚合...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種設備(200)。該設備(200)包括光學膜(215)，該光學膜包括多個光學各向異性分子(212)，這些光學各向異性分子被配置成形成多個螺旋結構(217)，該多個螺旋結構具有多個螺旋軸線(218)和螺距(Ph)。螺距(Ph)是沿著螺...
								
            
							
            
							
						
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								      一般地描述了用于無線再充電裝置的包含鐵合金的涂層，所述鐵合金包含鐵和至少一種另外的金屬（例如，鈷和/或鎳）。所述涂層可以直接施加至基底，例如印刷電路板。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種降低氫的選擇率，且通過二氧化碳的還原反應生成乙烯等烯烴及乙醇等醇類的催化反應能夠長期穩(wěn)定地持續(xù)高效率的陰極電極。本發(fā)明提供一種將二氧化碳電還原的陰極電極，該陰極電極是一種含有銅，且所述銅由金屬離子取代的陽離子交換物質進行表面修...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種可獲得柔軟性優(yōu)異，且斷裂拉伸強度優(yōu)異的浸漬成型體的氯丁二烯系聚合物膠乳組合物。根據(jù)本發(fā)明，提供一種氯丁二烯系聚合物膠乳組合物，其包含氯丁二烯系聚合物膠乳(A)、金屬氧化物(B)、硫化促進劑(C)、硫(D)、以及芳香雜環(huán)系化合物...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于制備草銨膦銨的方法，該方法包括通過膜處理包含草銨膦和無機鹽的第一溶液；以及從所述第二中沉淀草銨膦銨。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了由相應的式(II)的三氯甲苯化合物制備式(I)的苯甲腈化合物的方法。
							
            
							
						
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								      熱記錄介質包括支撐體和支撐體上的熱記錄層。熱記錄層包括由以下通式(I)表示的化合物和1,3?二苯基脲：
							
            
							
						
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								      裝置，其包括：套筒主體，其限定內孔并且終止于遠側開口處；中空微針，其限定內腔并且終止于遠側尖端處，其中所述微針被配置以能夠在所述內孔內往復移位使得所述尖端通過所述遠側開口延伸和縮回；和柱塞，其具有軸，所述軸能操作用于沿所述內腔推進密封件，以...
								
            
							
            
							
						
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								      本文公開了一種用于治療性氣體遞送裝置的樣品氣體過濾器組合件(100)。所述過濾器組合件包含：?過濾器設備(106)，所述過濾器設備包含入口(102)、出口(124)以及至少一個儲液槽(118)和至少一個過濾膜(316)，所述至少一個過濾膜位...
								
            
							
            
							
						
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								      在某些實施方案中，本發(fā)明涉及用于持續(xù)釋放藥物遞送的可生物降解微粒，以及其制備方法和用途，所述可生物降解微粒包含活性劑以及三維共價交聯(lián)的聚合物基質。此外，在某些實施方案中，本發(fā)明涉及藥學上可接受的、可生物降解的持續(xù)釋放藥物遞送系統(tǒng)及其制造方法...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種載流子遷移率高的金屬氧化物膜。金屬氧化物膜的銦含有率與鋅含有率之和為95％以上。金屬氧化物膜包含結晶。結晶具有層狀結晶結構。結晶中的相對于銦原子數(shù)的鋅原子數(shù)之比值大于0且小于1.5。結晶的電子的有效質量小于具有立方晶系結晶結構的氧化...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種減少工序數(shù)的半導體裝置。在半導體裝置中，存儲單元包括第一晶體管及第二晶體管，作為該兩個晶體管使用在設置在絕緣層中的開口部的側面具有溝道形成區(qū)域的占有面積小的垂直晶體管。通過允許起因于第一晶體管的構成要素的凹凸的一部分并在該凹凸不成為...
								
            
							
            
							
						
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								      用于上行鏈路配置的功率信息的方法和裝置。一種方法，包括接收：指示調度物理上行鏈路共享信道（PUSCH）的發(fā)送的第一下行鏈路控制信息（DCI）格式包括變換預編碼指示（TPI）字段的信息和提供調度第一PUSCH的發(fā)送的DCI格式的信道。該方法還...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本公開的實施方式的在無線通信系統(tǒng)中由終端測量信號的方法可包括以下步驟：在僅支持第一類型信號和第二類型信號當中的第二類型信號的第二模式下執(zhí)行第二類型無線電資源管理(RRM)測量；基于第二類型RRM測量，從第二模式切換到支持第一類型信號的第...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了用于指示UE與網(wǎng)絡之間的UL緩沖區(qū)延遲的方法和系統(tǒng)。例如，UE可以向網(wǎng)絡報告關于UE何時具有可用于傳輸?shù)臄?shù)據(jù)的信息。網(wǎng)絡可以接收該關于UE何時具有可用于傳輸?shù)臄?shù)據(jù)的信息，并且該信息可以由例如gNB使用以嘗試減小用于調度該數(shù)據(jù)的延遲。在...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了用于進行無線通信的方法、系統(tǒng)和設備。在使用糾錯碼進行編碼之前，可在每組的基礎上將循環(huán)冗余校驗（CRC）位附加到信息位集合。被附加到每個信息位組的CRC位的量可基于該信息位組的優(yōu)先級。例如，該優(yōu)先級可基于由該信息位組輸送的信息類型。例如...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了一種用于以受控共源共柵電流鏡方式生成電流控制電信號以實現(xiàn)功能性體內刺激的電切換裝置，包括第一、第二、第三和第四晶體管，每個晶體管均具有相關聯(lián)的源極、漏極和柵極端子，其中，第二和第四晶體管連接為輸出共源共柵結構，使得第四晶體管的源極端子...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種主動散熱機構，其包括：導熱面板主體，由導熱材料制成，所述導熱面板主體的內部形成用于制冷劑充注與流動的預定厚度的制冷劑流動空間，所述導熱面板主體包括分別形成厚度部側一表面和另一表面的一側導熱面板和另一側導熱面板；多個接合部，分別...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種在半導體基板（6）中形成弱化區(qū)（5）的方法，該方法依次包括以下步驟：a. 在基板的第一面（61）上形成具有非平面受控輪廓的屏蔽層（4），b. 穿過屏蔽層和基板的第一面（61）注入物質以形成弱化區(qū)，屏蔽層的輪廓被選擇為按照使得弱...
								
            
							
            
							
						
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