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          • 本發明涉及工業技術領域,具體涉及一種基于圖像識別的儀表信息識別方法及裝置。該方法包括以下步驟:首先,通過拍攝設備將待識別儀表設備的信息顯示面拍攝成信息框圖;然后,將信息框圖截取為固定尺寸的目標框圖;接著,基于訓練圖像集進行儀表信息識別,并輸...
          • 本申請涉及顯示技術領域,公開了一種驅動裝置和顯示設備,驅動裝置包括:發光控制電路、驅動電路和閾值電壓補償電路;閾值電壓補償電路與驅動電路相連接,用于通過輸入的第一調制信號對從驅動電路獲取的第一驅動信號進行補償,得到第二驅動信號,以及輸出第二...
          • 本發明公開了一種像素驅動電路和顯示面板。該像素驅動電路包括第一驅動模塊、第二驅動模塊、發光模塊和補償模塊;第一驅動模塊和第二驅動模塊并連連接后,與發光模塊連接于第一電源輸入端和第二電源輸入端之間,補償模塊與第一驅動模塊的控制端連接,第二驅動...
          • 本發明公開了一種顯示面板的驅動方法及顯示裝置,顯示面板包括多個發光器件以及與發光器件對應的像素電路,像素電路包括驅動晶體管,驅動晶體管和對應的發光器件串聯連接于第一電源端和第二電源端之間;顯示面板的驅動方法包括:在預點亮階段,向各個驅動晶體...
          • 本說明書公開了一種音素與字母的對齊方法、裝置、存儲介質及電子設備,其中方法包括:獲取待對齊的目標輸入序列,將目標輸入序列輸入至預先訓練好的音素與字母對齊模型中,基于音素與字母對齊模型對輸入序列進行分步預測處理,得到各分步的預測字符,基于各分...
          • 本說明書公開了一種特征構建方法、裝置、存儲介質及電子設備,其中方法包括:獲取文本數據的音素序列和音素序列對應的參考時長特征,將音素序列輸入至聲學模型,得到音素序列對應的預測時長特征和第一預測聲學特征,在預測時長特征中獲取預測時長特征片段,在...
          • 本申請公開一種語音降噪方法及相關裝置,應用于人工智能等場景。方法包括:在提取目標帶噪語音在預設尺度下的多個預設語音幀對應的多個預設時頻特征的基礎上;按照小于預設尺度、不同尺度的多個目標尺度分幀每個預設語音幀,得到每個預設語音幀在多個目標尺度...
          • 本申請公開了一種語音去噪方法、裝置、計算機設備、可讀存儲介質及程序產品。本申請可以獲取樣本語音信號對,語音信號樣本對包括含噪語音信號和無噪語音信號;對樣本語音信號對進行時頻轉換,得到樣本頻域特征;通過噪聲識別模型對樣本頻域特征進行噪聲識別,...
          • 本申請公開了一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統及電子系統。該方法包括:獲取數據輸出命令;響應于數據輸出命令,利用多個存儲面各自對應的電荷泵單元將多個存儲面各自對應的全部字線上的電壓提升至導通電壓,以完成多個存儲面的預充電;其中,數據輸出...
          • 一種分子結構生成模型的訓練方法、裝置、設備及存儲介質,涉及人工智能技術領域。該方法包括:獲取第一訓練樣本,第一訓練樣本包括第一加噪點云;通過分子結構生成模型對第一加噪點云去噪,得到第一去噪點云;基于第一去噪點云中的各個原子的位置,確定分子結...
          • 本發明公開了CVD金剛石晶格尺寸預測方法、裝置、設備和存儲介質,所述方法包括步驟:取包含有多種已知晶格尺寸大小的CVD金剛石的信息數據,并根據信息數據生成紫外拉曼光譜數據庫;以信息數據為訓練數據,通過卷積神經網絡進行訓練,以獲取紫外拉曼光譜...
          • 本發明提供了一種下電極組件及等離子體處理裝置,其中所述下電極組件包括:靜電卡盤,用于在等離子體處理裝置的反應腔中支撐待處理基片;若干個氣體傳輸通道,其貫穿所述靜電卡盤設置;每個所述氣體傳輸通道包括相互連通的第一通氣孔、第二通氣孔和第一安裝槽...
          • 本申請公開了一種工藝腔室及半導體設備,屬于半導體加工技術領域。所公開的半導體設備包括工藝腔室,工藝腔室包括腔室本體以及設于腔室本體內的安裝件、加熱燈和基座;其中,安裝件與腔室本體的內壁相連,加熱燈通過安裝件固定于腔室本體內、并與安裝件活動連...
          • 一種將微導電柱體置入微孔的方法,其包括:提供基板,基板具有多個微孔,微孔的深度與孔徑的比例范圍為0.5至12。置放多個微導電柱體于多個微孔的上方,每一微導電柱體具有磁性。提供磁力于基板的下方,每一微導電柱體朝向基板的方向受磁力吸引。以水平方...
          • 本申請提供一種芯片封裝結構及電子設備,涉及封裝技術領域,能夠解決因連接器的設置而導致轉接板的面積增大的問題。該芯片封裝結構包括轉接板、至少一個第一芯片、至少一個第二芯片、支撐結構、連接器。第一芯片設置在轉接板的正面、并與轉接板電連接。第二芯...
          • 本申請公開了一種半導體封裝結構及其制備方法、存儲系統。該半導體封裝結構包括:基板;半導體堆疊結構,包括多個沿第一方向依次堆疊于所述基板一側的半導體結構;以及熱管結構,其至少一部分位于最靠近所述基板的所述半導體結構中,至少另外一部分沿所述第一...
          • 本申請公開了一種工藝監測系統,屬于芯片工藝監測領域。本申請提供的工藝監測系統包括:設置在芯片的目標區域的工藝監測單元,包括基本單元為與非門電路的第一環形振蕩器,以及基本單元為或非門電路的第二環形振蕩器;與第一環形振蕩器和第二環形振蕩器的輸出...
          • 本發明提供了一種復合正極片及其制備方法、鈉離子電池,涉及電池技術領域。本發明提供的復合正極片,包括集流體和涂布于集流體上的正極活性物質層;正極活性物質層包括正極主材、導電劑和粘結劑正極主材包括復合磷酸鐵鈉和O3相層狀氧化物;復合磷酸鐵鈉和O...
          • 本申請涉及一種負極極片及其制備方法、電池、用電設備。一種負極極片,負極極片包括:負極集流體以及鋰金屬層。負極集流體具有第一表面和相對的第二表面;鋰金屬層負載在負極集流體的第一表面和第二表面。上述技術方案,在負極集流體的表面負載鋰金屬作為負極...
          • 本發明公開了一種高比例活性物質負極漿料及其制備方法與應用。本發明提供的負極漿料包括活性物質、導電劑和復合粘結劑;所述復合粘結劑由羧甲基纖維素鈉、丁苯橡膠乳液和聚丙烯酸類粘結劑按照質量比1:(1.5?2):(1.5?2)組成。本發明通過添加聚...
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