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								      本發(fā)明涉及一種巨量轉移方法及微顯示裝置。在巨量轉移方法中，對目標晶圓進行選擇性剝離，在承接板上形成具有交集區(qū)的多個拼接區(qū)塊，且后續(xù)拼接相鄰的多個拼接區(qū)塊對應的交集區(qū)內的多個微發(fā)光芯片呈隨機且互補分布狀態(tài)，在后續(xù)拼接時，相鄰的多個拼接區(qū)塊的交...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底，在其表面至少形成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，第一和第二有源區(qū)分別具有源極區(qū)域、漏極區(qū)域和它們之間的溝道，第一和第二有源區(qū)之間設置有隔離區(qū)域；絕緣層，包括分別設置于第一和第二有源區(qū)上的第一和第二絕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種巨量轉移裝置及其巨量轉移方法。巨量轉移裝置包含取放部以及粘性基板。取放部用于取放多個目標物。粘性基板設置在取放部中。粘性基板包含基板本體以及多個取放結構。取放結構設置在基板本體上。每一個取放結構包含一或多個第一凸起結構，用于與...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種電性檢測裝置及電性檢測方法。電性檢測裝置包含基板以及治具部。基板用于承載巨量轉移后的多個目標物。電性檢測裝置用于對目標物進行電性檢測。治具部相對基板設置。治具部包含可透光的上電極治具。在電性檢測期間，上電極治具與多個目標物連接...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種樣本構造方法、裝置、電子設備、存儲介質和程序產品；本申請實施例可以應用于車載場景的文本處理模型，對文本內容進行切分處理，得到文本內容中各文本片段對應的文本子內容；針對每個文本片段，按照文本片段中各個文本子內容的內容順序，從各...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種基于ROF技術的光纖分散式無線信號覆蓋系統(tǒng)，屬于光載射頻ROF和無線信號覆蓋系統(tǒng)技術領域，包括信號接入智能單元，其用于將從射頻接口接收到的第一無線信號進行射頻信號大小調節(jié)后再進行射頻放大得到第一下行電信號，將第一下行電信號、O...
								
            
							
            
							
						
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								      一種模組連接器包括第一殼體、第一端子模組、第二端子模組以及接地連接片。所述第一端子模組包括若干第一導電端子以及第一金屬屏蔽片。所述若干第一導電端子至少包括第一接地端子、第一信號端子、第二信號端子以及第二接地端子。所述第二端子模組包括若干第二...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鋰離子電池極化抗能模型與安全狀態(tài)判定方法，包括：通過等效電路建模得到與所測得的電化學阻抗譜相對應的等效電路模型，并將該等效電路模嵌入到車載電池管理系統(tǒng)當中，進行電池模型參數(shù)辨識，以實時獲取模型參數(shù)值，同時利用這些參數(shù)值計算出電池在實際使...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電化學分析檢測技術領域，具體涉及測定維生素B1電極的制備及應用方法。該發(fā)明的目的在于利用電化學沉積方法制備納米銀/多壁碳納米管修飾電極，并應用該電極測定維生素B1的含量。本發(fā)明技術方案為：利用電化學方法在基體電極表面沉積出納米銀顆...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明循環(huán)流化床鍋爐九宮格結構復式防磨裝置，屬于循環(huán)流化床鍋爐受熱面防磨技術領域；所要解決的技術問題為循環(huán)流化床鍋爐受熱面磨損及受熱面不足所引發(fā)的問題；解決技術問題所采用的技術方案為：循環(huán)流化床鍋爐九宮格結構復式防磨裝置，包括九個宮格結構及...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出的利用動力機構、配重和杠桿實現(xiàn)能量轉換的方法及裝置，動力機構旋轉運動，帶動配重杠桿的一端運動，配重結構包括配重杠桿和配重體，配重結構與輸出杠桿的一端軟連接，輸出杠桿的另一端帶動輸出軸轉動。動力機構與配重杠桿的連接方式為軟連接。本發(fā)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了NR2F2拮抗劑及其醫(yī)藥用途，本發(fā)明提供的式(I)化合物對NR2F2具有強效的拮抗作用，因此該類化合物或其藥學上可接受的鹽、互變異構體、內消旋體、外消旋體、立體異構體、代謝產物、代謝前體、前藥或溶劑化物可應用于制備NR2F2拮抗...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種在燃料電池中保濕性和排水性優(yōu)異、并且具有低電流密度和高電流密度下良好的發(fā)電性能的氣體擴散電極基材。一種氣體擴散電極基材，其是在導電性多孔質基材的至少一面具有微多孔層的氣體擴散電極基材，在所述微多孔層中具有含有有機高分子的填料，所述填...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種適合作為燃料電池中的氣體擴散層的構成構件的具有優(yōu)異性能的碳纖維片。本公開的一方式是一種碳纖維片，其特征在于，含有碳纖維、導電性粒子、有機纖維及粘合劑樹脂，所述粘合劑樹脂含有烯烴系樹脂，在由所述碳纖維形成的網(wǎng)眼結構的一部分固貼有含有所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種硅烷交聯(lián)性樹脂組合物以及使用該硅烷交聯(lián)性樹脂組合物的硅烷交聯(lián)樹脂成型體和電線，所述硅烷交聯(lián)性樹脂組合物含有至少一種由特定的式表示且在100℃加熱30分鐘時的質量減少率小于10.0％的硅烷醇縮合催化劑、且不含有含錫的硅烷醇縮合催...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種顯示面板及其制備方法，其中顯示面板包括：平坦化層；陽極層，位于平坦化層的一側，陽極層包括若干子像素陽極；阻擋層，位于與陽極層相同的平坦化層的一側，阻擋層在平行于顯示面板的方向上包圍每一子像素陽極，與每一子像素陽極之間形成一間隙...
								
            
							
            
							
						
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								      一種以有機材料?銻化銦量子點共混為光活性層的光電探測器及其制備方法，光電探測器的器件結構為從上至下依次為金屬電極層、電子傳輸層、光敏活性層、空穴傳輸層、透明導電玻璃層，其中光敏活性層材料為有機半導體材料與銻化銦(InSb)量子點共混后制得的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高偏壓下穩(wěn)定工作的鈣鈦礦單晶輻射探測器及其制備方法，探測器包括鈣鈦礦單晶材料層，鈦電極層和接地電極層，所述鈦電極層和接地電極層分別設置在鈣鈦礦材料層的上下兩側。本發(fā)明的鈣鈦礦輻射探測器可以在高偏壓下穩(wěn)定工作，與當前報道的基于鈣鈦礦輻射探...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法，其中，半導體結構包括：襯底，所述襯底包括相鄰的第一區(qū)、第二區(qū)以及位于第一區(qū)和第二區(qū)之間的第三區(qū)；位于所述第一區(qū)上的第一溝道結構以及位于所述第二區(qū)上的第二溝道結構，所述第一溝道結構包括若干沿垂直于襯底表面方向重疊且...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环NTFET器件及其形成方法，所述TFET器件包括：半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；柵極結構，位于所述半導體襯底表面且橫跨所述第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中，位于所述第一區(qū)域的部分柵極結構包括依次位于所述半導體襯底表面...
								
            
							
            
							
						
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