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								      本發(fā)明公開了一種低損耗空芯光纖及其制作方法，包括：外包層1、至少一個中空包層2、內(nèi)包層3和空氣纖芯4，外包層1依次包覆中空包層2、內(nèi)包層3和空氣纖芯4；每個中空包層2包括包層壁20和圍繞包層壁20的多個支撐件21；其中，最外層的中空包層2的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種海工磁懸浮超重力風洞試驗裝置，涉及海工風洞試驗設備領域，包括：試驗腔體，第一環(huán)形永磁導軌，第二環(huán)形永磁導軌，車體模型試驗艙，直線電機，試驗模型，試驗模型固定設置于車體模型試驗艙外表面，試驗模型試驗所需的模擬重力方向朝向第一環(huán)形...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請的實施例揭示了一種控制冷卻風扇的方法、系統(tǒng)、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)，該方法包括：對車輛冷卻系統(tǒng)中的冷卻液溫度進行檢測，獲得水溫信號；根據(jù)水溫信號確定PWM信號；根據(jù)PWM信號控制冷卻風扇轉(zhuǎn)動，并每間隔第二預設時間段發(fā)送一次心跳信號；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及車輛控制領域，揭示了一種車輛的能量管理控制方法、裝置、計算機可讀介質(zhì)及電子設備。該方法包括：獲取用戶為車輛設置的目標能量管理運行模式，車輛為用戶提供有包括所述目標能量管理運行模式在內(nèi)的多個可選的能量管理運行模式，多個可選的能量管理...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了廢氣收集恒壓恒流機，涉及恒壓恒流機技術領域，而本發(fā)明包括箱體，所述箱體的上端固定設有四個吊孔，所述箱體的上端固定設有警報設備，所述箱體的一側(cè)開始有通風口，所述箱體的內(nèi)部設有集氣機構(gòu)，所述箱體的內(nèi)部設有恒壓機構(gòu)，所述箱體的一側(cè)設有...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及母胎運動檢測技術領域，公開了一種母胎運動檢測方法、裝置、母胎監(jiān)測設備及存儲介質(zhì)。本發(fā)明提供了一種母胎運動檢測方法，應用于母胎監(jiān)測設備，包括：在檢測時段內(nèi)，采集母體的腹壁表面電信號，并檢測母體的腹部狀態(tài)；識別腹壁表面電信號中的胎動信...
								
            
							
            
							
						
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								      一種咖啡機及其萃取裝置，該萃取裝置包括基座，包括設有注水口的蓋體；安裝架，與所述基座相鉸接；漏斗，配置為可拆卸插裝于所述安裝架；以及粉碗，設置在所述漏斗內(nèi)，且碗口朝向所述蓋體；其中，所述安裝架配置為能轉(zhuǎn)動至所述蓋體密封所述粉碗的碗口的第一位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開一種釀造萃取單元和飲品機，涉及飲品制作技術領域。該釀造萃取單元包括：萃取支架，包括支架主體和設置于所述支架主體一端的支撐部；萃取容器，設有支撐配合部，所述支撐配合部設置成能自所述支撐部的第一端沿著所述支撐部滑動以與所述支撐部支撐配...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種圖像編碼/解碼方法和裝置、存儲比特流的記錄介質(zhì)以及傳輸方法。圖像解碼方法包括以下步驟：確定當前塊是否處于幀內(nèi)模板匹配模式；在多個模板形狀候選中確定當前塊的模板形狀；根據(jù)模板形狀，基于當前模板來搜索參考模板；以及基于參考模板來生成當...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法，該半導體結(jié)構(gòu)包括：載板；多個發(fā)光單元，位于載板的一側(cè)，每個發(fā)光單元包括沿載板的表面間隔設置、發(fā)光波長不同的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu)，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一發(fā)光結(jié)構(gòu)，第三發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種光伏組件的貼膜方法及貼膜系統(tǒng)，在所公開的貼膜方法中，將第一膜帶裁切成多個第一膜條，多個第一膜條沿第一方向陣列設置形成第一膜條組，驅(qū)動防護板移動至第一工位，并歸正；將第一膜條組沿第一方向分距鋪設后、加熱粘貼于位于第一工位的防護...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N固態(tài)成像器件及其加工方法和電子設備，該固態(tài)成像器件包括晶體管，該晶體管包括：基體材料層；柵極，該柵極位于該基體材料層上；側(cè)壁隔離層，該側(cè)壁隔離層位于該基體材料層上，該側(cè)壁隔離層與該柵極相鄰并位于該柵極兩側(cè)；源極和漏極，該源極...
								
            
							
            
							
						
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								      一種標準單元版圖結(jié)構(gòu)、標準單元庫及版圖布線方法。所述標準單元版圖結(jié)構(gòu)包括：第一MOS管版圖結(jié)構(gòu)；以及第二MOS管版圖結(jié)構(gòu)；其中，所述第一MOS管版圖結(jié)構(gòu)與所述第二MOS管版圖結(jié)構(gòu)具有第一公共柵極區(qū)；所述第一公共柵極區(qū)對應于所述第一MOS管版...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出了陣列基板及其制作方法、顯示面板。陣列基板包括依次層疊設置在襯底基板上的第一透明電極、絕緣層和第二透明電極，其中，所述絕緣層的材料包括在形成所述絕緣層的過程中產(chǎn)生氫離子的絕緣材料；以及緩沖層，所述緩沖層設置在所述第一透明電極和所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種半導體器件、半導體晶圓及制備方法、存儲系統(tǒng)，半導體晶圓包括第一半導體基材、第二半導體基材及高K介電層，第二半導體基材與第一半導體基材相對設置；高K介電層設于第一半導體基材與第二半導體基材之間。本申請實施例提供的半導體晶...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種半導體器件及制備方法、封裝結(jié)構(gòu)、電子設備，涉及半導體技術領域，用于降低半導體器件的亞閾值擺幅以及器件功耗。該半導體器件包括：襯底；半導體層，半導體層設置在襯底上，半導體層包括源極區(qū)、離化區(qū)、以及設置在源極區(qū)和離化區(qū)之間的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種溝槽柵MOS器件及其制備方法，該溝槽柵MOS器件包括半導體結(jié)構(gòu)、體區(qū)、源區(qū)、第一溝槽結(jié)構(gòu)、第二溝槽結(jié)構(gòu)、源極、柵極及漏極，其中，半導體結(jié)構(gòu)包括層疊的緩沖層及漂移區(qū)；體區(qū)位于漂移區(qū)上表層；源區(qū)位于體區(qū)上表層；第一溝槽結(jié)構(gòu)包括第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體器件、制備方法、集成電路及電子設備，半導體器件包括溝道層、溝道層上方的介質(zhì)層、位于溝道層和介質(zhì)層的相對兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)、以及金屬柵結(jié)構(gòu)，介質(zhì)層包括環(huán)形的第一介質(zhì)區(qū)和位于第一介質(zhì)區(qū)的相對兩側(cè)的第二介質(zhì)區(qū)，金屬柵結(jié)構(gòu)包裹...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種半導體器件及其制備方法、功率開關器件、電子設備，涉及半導體技術領域。該半導體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵帽層、第一鈍化層、第二鈍化層、源極和漏極。襯底具有第一表面。溝道層、勢壘層、柵帽層依次層疊設置在第一表面上。第一...
								
            
							
            
							
						
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								      電子裝置及終端設備。該電子裝置包括第一殼體、中間部件和第二殼體；該第一殼體和該第二殼體固定連接；該中間部件固定于該第一殼體和該第二殼體形成的空腔內(nèi)；該第一殼體包括外表面和內(nèi)表面，該內(nèi)表面為朝向該中間部件的一側(cè)表面，該外表面為與該內(nèi)表面的朝向...
								
            
							
            
							
						
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