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								      本申請(qǐng)屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種音頻處理方法、音頻處理裝置、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)、電子設(shè)備以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。該音頻處理方法包括：對(duì)音頻信號(hào)進(jìn)行特征提取，得到多個(gè)音頻幀的頻域特征；音頻信號(hào)中攜帶有語音信號(hào)和噪聲信號(hào)；對(duì)所述音頻幀的頻域特征...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種感應(yīng)放大器、數(shù)據(jù)處理方法、存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)及存儲(chǔ)器。感應(yīng)放大器包括：第一鎖存單元、放大單元以及第二鎖存單元；感應(yīng)放大器被配置為在預(yù)感應(yīng)階段，第一電壓端加載第一電壓和第二電壓端加載第二電壓，放大單元對(duì)位線的輸出電壓和參考位線...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N外圍電路、存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)，涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。旨在用于改善存儲(chǔ)器功耗較高的問題。外圍電路包括：數(shù)據(jù)輸出端、多個(gè)局部數(shù)據(jù)總線及多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路包括輸出端、第一輸入端以及第二輸入端，多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了存儲(chǔ)器裝置及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)單元陣列以及與存儲(chǔ)單元陣列耦接的外圍電路；其中，存儲(chǔ)單元陣列包括N個(gè)存儲(chǔ)面，N為大于1的正整數(shù)；外圍電路包括對(duì)應(yīng)N個(gè)存儲(chǔ)面的N個(gè)處理器，每個(gè)處理器均配置有對(duì)應(yīng)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)系統(tǒng)及電子設(shè)備，涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)器包括N個(gè)存儲(chǔ)庫，以及耦合于N個(gè)存儲(chǔ)庫的譯碼器，N為大于1的整數(shù)，譯碼器用于對(duì)輸入的行地址進(jìn)行譯碼，得到第一譯碼結(jié)果，第一譯碼結(jié)果用于指示N個(gè)存儲(chǔ)庫中的任意一個(gè)存儲(chǔ)庫...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。存儲(chǔ)器包括穩(wěn)壓電路，穩(wěn)壓電路包括第一分壓電路，第一分壓電路的第一端用于輸入第一電壓，第一分壓電路的第二端與接地端耦接，第一分壓電路被配置為根據(jù)第一電壓向第二分壓電路提供調(diào)整電壓，第...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及用于在存儲(chǔ)器中執(zhí)行讀取操作的方法和器件。在一個(gè)示例中，一種用于操作存儲(chǔ)器器件的方法包括：基于至少一個(gè)電壓或至少一個(gè)發(fā)展時(shí)間來對(duì)所述存儲(chǔ)器器件的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行感測操作。所述存儲(chǔ)器單元耦合到字線。所述方法還包括基于所述感測操作的結(jié)果，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種蛋白質(zhì)片段(peptide)?主要組織兼容性復(fù)合體(MHC)的鍵結(jié)預(yù)測方法與裝置。其中，peptide?MHC的鍵結(jié)預(yù)測方法包括以下步驟。獲得一peptide序列及一MHC序列。依據(jù)peptide序列及MHC序列，以至少一蛋白...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種優(yōu)化捕獲探針設(shè)計(jì)的方法。具體而言，提供了通過分析單根探針、探針組合以及投入池的核酸序列特征，預(yù)測液相雜捕場景下單根探針及探針組合中靶率的方法，能夠加速產(chǎn)品設(shè)計(jì)，有效提高液相雜捕高通量測序基因檢測產(chǎn)品的實(shí)際中靶率，降低產(chǎn)品的設(shè)計(jì)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種不同溫度和壓力下多介質(zhì)組分變化規(guī)律的確定方法及系統(tǒng)，涉及稠油開采技術(shù)領(lǐng)域，所述方法包括：依據(jù)建立的井口、井底熱力學(xué)焓值三角圖版確定井口?井底焓值差熱力學(xué)三角圖版；依據(jù)建立的井口、井底體積膨脹系數(shù)三角圖版確定井口?井底稠油體積...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種頁巖儲(chǔ)層含水飽和度檢測方法、裝置、設(shè)備以及介質(zhì)。該方法包括：確定目標(biāo)富有機(jī)質(zhì)頁巖對(duì)應(yīng)的目標(biāo)解釋結(jié)果信息；確定目標(biāo)富有機(jī)質(zhì)頁巖對(duì)應(yīng)采用的目標(biāo)檢測模型，目標(biāo)檢測模型能用于描述孔隙度、所有導(dǎo)電物質(zhì)體積分?jǐn)?shù)、所有導(dǎo)電物質(zhì)的等效電阻率...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種運(yùn)動(dòng)管理系統(tǒng)及其運(yùn)動(dòng)指導(dǎo)系統(tǒng)。運(yùn)動(dòng)管理系統(tǒng)提供專業(yè)人員建立各種運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目，其包括運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目影片與初始動(dòng)作規(guī)則、目標(biāo)動(dòng)作規(guī)則、動(dòng)作次數(shù)規(guī)則、執(zhí)行周期等設(shè)定。專業(yè)人員并可進(jìn)一步設(shè)定對(duì)應(yīng)的語音指導(dǎo)內(nèi)容，讓使用者在執(zhí)行運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目過程中，可實(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實(shí)施例公開了體檢服務(wù)數(shù)據(jù)處理方法和裝置。該方法的具體實(shí)施方式包括：將體檢結(jié)果中的異常指標(biāo)輸入預(yù)先訓(xùn)練的醫(yī)療知識(shí)模型，輸出檢后建議信息供醫(yī)生診斷參考；根據(jù)醫(yī)生對(duì)所述檢后建議信息的修改操作，生成總檢建議信息；根據(jù)體檢結(jié)果中的各項(xiàng)指標(biāo)進(jìn)行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種改善晶圓邊緣高度差的方法及半導(dǎo)體器件，所述方法包括在深溝道隔離工藝進(jìn)行前執(zhí)行以下步驟：S1、在晶圓上沉積電容氧化層；S2、進(jìn)行黃光蝕刻并去掉晶背；S3、通過爐管在所述電容氧化層外部沉積局部氧化層；S4、在所述局部氧化層上方沉...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種金屬膜層的刻蝕方法，包括：通過第一種刻蝕氣體自上向下依次對(duì)各金屬膜層進(jìn)行刻蝕，直至刻蝕到最下方的金屬膜層時(shí)停止刻蝕；使用第二種刻蝕氣體將最下方的金屬膜層干法刻蝕一部分后停止刻蝕；使用常規(guī)的干法去膠和濕法清洗去除光阻以及刻蝕過程...
								
            
							
            
							
						
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								      偵測晶圓的缺陷的方法包含施加第一電位至第一低部導(dǎo)電層，施加不同于第一電位的第二電位至第一高部導(dǎo)電層，第一高部導(dǎo)電層通過第一通孔件連接至第二低部導(dǎo)電層，第二低部導(dǎo)電層相鄰第一低部導(dǎo)電層，且第一低部導(dǎo)電層與第二低部導(dǎo)電層之間的間距具有第一寬度，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種硅中階層圖案的制造方法，具體包括如下步驟：提供一硅晶圓；在硅晶圓上制備對(duì)準(zhǔn)圖案，對(duì)準(zhǔn)圖案包括多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組；在硅晶圓上的目標(biāo)區(qū)域內(nèi)制備互聯(lián)圖案，其中目標(biāo)區(qū)域基于對(duì)準(zhǔn)圖案中任意一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組確定，且任意一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組至少存在三...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了封裝件及其制造方法、以及封裝件的用于高頻應(yīng)用的用途。該封裝件(100)包括：部件承載件(102)，該部件承載件(102)包括疊置件(104)，該疊置件(104)包括至少一個(gè)電傳導(dǎo)層結(jié)構(gòu)(106)和至少一個(gè)電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N具有疊置件(102)的部件承載件(100)及其制造方法，其中，所述疊置件(102)包括：i)至少一個(gè)電絕緣層結(jié)構(gòu)(106)和至少一個(gè)電傳導(dǎo)層結(jié)構(gòu)(104)；ii)疊置件側(cè)壁(107)，其中，疊置件側(cè)壁的至少一部分(110)相...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供了一種集成電路組件和芯片封裝結(jié)構(gòu)。所述集成電路組件包括：第一晶圓裸片，形成有多個(gè)運(yùn)算單元，所述多個(gè)運(yùn)算單元用于并行地執(zhí)行邏輯運(yùn)算；第二晶圓裸片，與所述第一晶圓裸片疊置，所述第二晶圓裸片中形成有多個(gè)訪問控制單元；其中，每個(gè)運(yùn)算...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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