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          • 一種電連接器,包括絕緣基座及固定在所述絕緣基座的兩個(gè)端子模組,每一端子模組包括絕緣體、固定在所述絕緣體并沿第一方向排列的一排端子以及沿第一方向延伸并設(shè)置在一排所述端子旁側(cè)的接地件與吸波件,一排所述端子至少包括多個(gè)差分信號(hào)對(duì)及位于差分信號(hào)對(duì)之...
          • 本公開的實(shí)施例提供了一種具有CPA的高速高密度纜線連接器,包括殼體組件、電路板、多條高速數(shù)據(jù)纜線以及連接器鎖位組件,電路板設(shè)置在殼體組件內(nèi),包括用于與適配電連接器電接觸的多個(gè)觸點(diǎn),多條高速數(shù)據(jù)纜線的端部安裝在電路板上且與多個(gè)觸點(diǎn)電連接。連接...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N天線組件、天線和通信設(shè)備,涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,以解決柵副瓣抑制能力較差等問題。本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶炀€組件包括多個(gè)天線單元,多個(gè)天線單元均位于同一個(gè)平面內(nèi);平面內(nèi)包括多個(gè)扇區(qū),多個(gè)扇區(qū)的頂角均環(huán)繞于同一個(gè)中心區(qū)域;每個(gè)扇區(qū)中包括至少一...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N散熱模組及具有該散熱模組的天線陣列裝置。散熱模組應(yīng)用于天線陣列裝置。天線陣列裝置包括電路板及上蓋。散熱模組包括:本體;若干導(dǎo)熱結(jié)構(gòu),以形成陣列的方式排列設(shè)置于本體的一側(cè);若干支撐結(jié)構(gòu),用于支撐電路板,若干導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)及若干支撐結(jié)構(gòu)...
          • 本發(fā)明公開了一種電池單體、電池及用電設(shè)備,電池單體包括電極組件,電極組件包括電極組件,電極組件包括電極主體和極耳,極耳包括第一連接部、彎折部和第二連接部,第一連接部與電極主體相連,第一連接部和第二連接部通過彎折部相連;轉(zhuǎn)接片,轉(zhuǎn)接片在厚度方...
          • 采用鹽作為電解質(zhì)的燃料電池可以得到酸和堿。在燃料電池溶液中外加電場使燃料極,空氣極周圍的活性物質(zhì)增加。這樣可以增加燃料電池的反應(yīng)效率,消除極化的不利影響。根據(jù)能斯特方程可以計(jì)算出燃料極,空氣極的反應(yīng)速度。
          • 本申請(qǐng)涉及一種儲(chǔ)能單元加熱方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品。所述方法包括:在確定儲(chǔ)能系統(tǒng)需要預(yù)留電量的情況下,獲取儲(chǔ)能系統(tǒng)的各儲(chǔ)能單元的電量,并控制各儲(chǔ)能單元的電量不小于預(yù)設(shè)電量,若各儲(chǔ)能單元中存在溫度小于第一預(yù)設(shè)溫度的第一目標(biāo)儲(chǔ)能單元...
          • 本發(fā)明屬于新能源技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種鹵素陰離子摻雜的富鋰相氟基固態(tài)電解質(zhì)材料及其制備方法和應(yīng)用。為了開發(fā)一種高離子導(dǎo)電率、低電子導(dǎo)電率、寬電化學(xué)窗口的固態(tài)鋰電池用的氟基固態(tài)電解質(zhì)材料體系,本發(fā)明提供鹵素陰離子摻雜的富鋰相氟基固態(tài)電解質(zhì)材料,所...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N氫動(dòng)力模塊陽極子系統(tǒng)(100),其配置成能夠?qū)錃鈨?chǔ)存罐中所儲(chǔ)存的氫氣傳送入到氫動(dòng)力模塊反應(yīng)堆并包括:斷流閥(1),其配置成能夠控制來自氫氣儲(chǔ)存罐的氫氣的供應(yīng);氫噴閥(6),其配置成能夠調(diào)節(jié)氫氣的壓力;布置在氫動(dòng)力模塊反應(yīng)堆...
          • 本申請(qǐng)公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極活性材料包括鈉錳氧化物,鈉錳氧化物包括第一相和第二相,第一相包括依次交替的第一鈉離子層和第一過渡金屬層,第一相中相鄰的兩個(gè)第一過渡金屬層在垂直于(001)晶面方向上的層間...
          • 本申請(qǐng)公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片及鈉二次電池和用電裝置。所述正極活性材料滿足化學(xué)式NaxMnyM1zO2+δ,其中,0.8<x≤1,...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極材料包括基體和包覆在所述基體表面的包覆層;所述基體包括鋰過渡金屬氧化物;所述包覆層包括CaxAy(PO4...
          • 本申請(qǐng)公開了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置,所述正極活性材料包括正極活性材料本體和形成在所述正極活性材料本體至少部分表面的包覆層,所述包覆層包括CeaZrbLc<...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N制備正極材料的方法、正極材料、正極極片、電池及用電裝置。本申請(qǐng)方法包括:將前驅(qū)體與磷源在溶劑中混合,干燥,燒結(jié),得到中間產(chǎn)物;其中,所述前驅(qū)體包括含有或不含有摻雜元素的磷酸錳鐵鋰,所述摻雜元素包括ⅡA族元素、ⅢA族元素、ⅣA...
          • 本申請(qǐng)涉及一種多孔負(fù)極材料及其制備方法、負(fù)極極片、二次電池和用電裝置,多孔負(fù)極材料包括具有內(nèi)部孔結(jié)構(gòu)的二次顆粒,二次顆粒包含多個(gè)一次顆粒,一次顆粒包含碳基材料,相鄰一次顆粒之間填充有多孔硬碳,二次顆粒包含的多孔硬碳形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),多孔負(fù)極材料...
          • 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其形成方法,且該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電特征層、介電層、第一導(dǎo)線部件及覆蓋層。導(dǎo)電特征層設(shè)置于基板上。介電層位于導(dǎo)電特征層上。第一導(dǎo)線部件位于介電層中,且包括第一導(dǎo)電層、第一阻擋層及第一覆蓋件。第一阻擋層包覆第一導(dǎo)電...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種冷卻座、承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備,涉及冷卻座調(diào)溫技術(shù)領(lǐng)域,其中,所述冷卻座包括:座體和多個(gè)調(diào)節(jié)件;座體設(shè)有冷卻流道,冷卻流道包括入口和出口,冷卻介質(zhì)能夠經(jīng)入口進(jìn)入冷卻流道,流經(jīng)冷卻流道的冷卻介質(zhì)能夠從出口流出;調(diào)節(jié)件包...
          • 本申請(qǐng)公開了一種制造裝置與制造方法以及其所制成的半導(dǎo)體器件與其制作方法。所述制造裝置包括:對(duì)器件進(jìn)行制造工藝操作的處理腔;以及,根據(jù)所述器件的歷史制造參數(shù)設(shè)定所述處理腔的初始操作溫度的處理腔參數(shù)設(shè)定器,且所述歷史制造參數(shù)包括兩個(gè)所述器件的歷...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種混合鍵合方法和半導(dǎo)體器件,混合鍵合方法先將芯片設(shè)置在藍(lán)膜上,而后通過UV光對(duì)藍(lán)膜進(jìn)行固化,之后在對(duì)芯片進(jìn)行活化,最后在將芯片與晶圓鍵合,如此設(shè)置通過UV光對(duì)藍(lán)膜進(jìn)行固化可以抑制等離子體激活過程中的顆粒,避免產(chǎn)生大量顆粒...
          • 本發(fā)明提供了一種適用于混合鍵合中芯片表面顆粒控制的方法。本發(fā)明的方法包括如下步驟:S1:將晶圓切割成芯片,將芯片間隔粘貼在藍(lán)膜上;S2:將藍(lán)膜及芯片置于激光下,對(duì)芯片之間的藍(lán)膜進(jìn)行照射改性;S3:采用化學(xué)藥液對(duì)照射改性后的藍(lán)膜及芯片進(jìn)行濕法...
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