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          • 本申請?zhí)峁┝艘环N制備正極材料的方法、正極材料、正極極片、電池及用電裝置。本申請方法包括:將前驅(qū)體與磷源在溶劑中混合,干燥,燒結(jié),得到中間產(chǎn)物;其中,所述前驅(qū)體包括含有或不含有摻雜元素的磷酸錳鐵鋰,所述摻雜元素包括ⅡA族元素、ⅢA族元素、ⅣA...
          • 本申請涉及一種多孔負(fù)極材料及其制備方法、負(fù)極極片、二次電池和用電裝置,多孔負(fù)極材料包括具有內(nèi)部孔結(jié)構(gòu)的二次顆粒,二次顆粒包含多個一次顆粒,一次顆粒包含碳基材料,相鄰一次顆粒之間填充有多孔硬碳,二次顆粒包含的多孔硬碳形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),多孔負(fù)極材料...
          • 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其形成方法,且該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電特征層、介電層、第一導(dǎo)線部件及覆蓋層。導(dǎo)電特征層設(shè)置于基板上。介電層位于導(dǎo)電特征層上。第一導(dǎo)線部件位于介電層中,且包括第一導(dǎo)電層、第一阻擋層及第一覆蓋件。第一阻擋層包覆第一導(dǎo)電...
          • 本申請實(shí)施例提供了一種冷卻座、承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備,涉及冷卻座調(diào)溫技術(shù)領(lǐng)域,其中,所述冷卻座包括:座體和多個調(diào)節(jié)件;座體設(shè)有冷卻流道,冷卻流道包括入口和出口,冷卻介質(zhì)能夠經(jīng)入口進(jìn)入冷卻流道,流經(jīng)冷卻流道的冷卻介質(zhì)能夠從出口流出;調(diào)節(jié)件包...
          • 本申請公開了一種制造裝置與制造方法以及其所制成的半導(dǎo)體器件與其制作方法。所述制造裝置包括:對器件進(jìn)行制造工藝操作的處理腔;以及,根據(jù)所述器件的歷史制造參數(shù)設(shè)定所述處理腔的初始操作溫度的處理腔參數(shù)設(shè)定器,且所述歷史制造參數(shù)包括兩個所述器件的歷...
          • 本申請實(shí)施例公開了一種混合鍵合方法和半導(dǎo)體器件,混合鍵合方法先將芯片設(shè)置在藍(lán)膜上,而后通過UV光對藍(lán)膜進(jìn)行固化,之后在對芯片進(jìn)行活化,最后在將芯片與晶圓鍵合,如此設(shè)置通過UV光對藍(lán)膜進(jìn)行固化可以抑制等離子體激活過程中的顆粒,避免產(chǎn)生大量顆粒...
          • 本發(fā)明提供了一種適用于混合鍵合中芯片表面顆粒控制的方法。本發(fā)明的方法包括如下步驟:S1:將晶圓切割成芯片,將芯片間隔粘貼在藍(lán)膜上;S2:將藍(lán)膜及芯片置于激光下,對芯片之間的藍(lán)膜進(jìn)行照射改性;S3:采用化學(xué)藥液對照射改性后的藍(lán)膜及芯片進(jìn)行濕法...
          • 本發(fā)明提供了一種適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法。本發(fā)明的適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法,包括如下步驟:S1:將晶圓拋光、減薄后劃切成芯片,將芯片重構(gòu)在藍(lán)膜上;S2:將掩膜版置于藍(lán)膜上方,掩膜版具有用于暴露芯片并且遮擋...
          • 本發(fā)明公開了一種外延方法及設(shè)備,外延方法包括:提供III族鹵化物和第一鹵化物氣體;混合所述第一鹵化物氣體和所述III族鹵化物,得到混合氣體;將所述混合氣體通入反應(yīng)區(qū)域,與含V族元素氣體在襯底上反應(yīng)形成外延層;其中,在混合所述第一鹵化物氣體和...
          • 本申請公開了一種應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的起輝控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備,該起輝控制方法包括:在電源開啟之前,屏蔽硬件軟互鎖報(bào)警,硬件軟互鎖報(bào)警包括:在檢測到目標(biāo)硬件的狀態(tài)信號為異常時(shí),中止起輝過程;目標(biāo)硬件包括半導(dǎo)體工藝設(shè)備中參與起輝過程的硬件...
          • 本發(fā)明提供一種靜電吸盤及等離子體處理裝置,所述靜電吸盤包括:第一絕緣層,其上設(shè)置有若干個貫穿所述第一絕緣層的冷卻孔;底座組件,其設(shè)置在第一絕緣層的下方用于支撐所述第一絕緣層;若干個冷卻通道,其貫穿所述底座組件設(shè)置,分別與對應(yīng)的所述冷卻孔連通...
          • 本發(fā)明提出了一種可拆互感器結(jié)構(gòu)及智能量測開關(guān),包括動觸頭、互感器、接線板,動觸頭和接線板通過導(dǎo)線連接,導(dǎo)線從互感器中穿過,還包括接線條,導(dǎo)線通過接線條與接線板連接,接線板與接線條形成可拆卸連接,接線條可從互感器中穿過。其通過長條形的、可從互...
          • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種離心泵的血泵剩余可用時(shí)間預(yù)測方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲介質(zhì),涉及醫(yī)療器械監(jiān)控技術(shù)領(lǐng)域。方法包括:獲取單滾珠軸承在監(jiān)控周期內(nèi)的周期磨損量;基于監(jiān)控周期的周期磨損量以及監(jiān)控周期之前的歷史監(jiān)控周期的歷史周期磨損量,確定單滾...
          • 本發(fā)明公開了一種用于確定油頁巖原位極限開采深度的方法及系統(tǒng),包括:根據(jù)待評價(jià)油頁巖原位區(qū)域的油頁巖樣品,測定不同深度下的滲透率;對油頁巖樣品進(jìn)行熱解實(shí)驗(yàn),獲得各擬產(chǎn)物的組成以及各擬產(chǎn)物隨溫度變化的組分,基于此,擬合預(yù)先構(gòu)建的基于干酪根熱解的...
          • 一種分子表征信息生成模型的訓(xùn)練方法,包括:獲取目標(biāo)分子的第一分子信息;擴(kuò)散處理得到第二分子信息;確定目標(biāo)分子的真實(shí)軌跡信息;將第二分子信息作為目標(biāo)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的輸入,輸出分子表征信息;根據(jù)分子表征信息,確實(shí)模擬軌跡信息;根據(jù)真實(shí)軌跡信息和模...
          • 本申請實(shí)施例公開一種存儲設(shè)備、存儲系統(tǒng)及電子設(shè)備,涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該存儲設(shè)備包括:殼體、帶體、磁頭、第一電路板、第二電路板和第一密封件。殼體具有容納腔,帶體和磁頭均位于該容納腔內(nèi),且磁頭用于對帶體執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鳌5谝浑娐钒逦挥谌菁{腔...
          • 本申請實(shí)施例提供了一種時(shí)鐘偏差測量方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。該方法包括:獲取第一設(shè)備按照第一采樣頻率錄制的錄音信號,第一設(shè)備錄制第二設(shè)備以第二采樣頻率播放的周期性音頻信號,得到錄音信號,第一設(shè)備與第二設(shè)備不同,第一設(shè)備或第二設(shè)備為待測...
          • 一種音頻處理方法、裝置及相關(guān)設(shè)備,涉及音頻處理技術(shù)領(lǐng)域。音頻處理裝置獲取音頻,該音頻包括用戶的語音。然后,音頻處理裝置利用AI模型,從至少一種語音干擾維度對該音頻進(jìn)行推理,得到推理結(jié)果,該推理結(jié)果用于指示音頻中的用戶語音質(zhì)量。最后,當(dāng)AI模...
          • 本申請實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置、設(shè)備以及存儲介質(zhì),用于提高音頻數(shù)據(jù)的優(yōu)化效果。本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案可應(yīng)用于計(jì)算機(jī)技術(shù)、人工智能、云技術(shù)以及車聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。包括:獲取待處理音頻數(shù)據(jù);對待處理音頻數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理得到第一頻域特征;調(diào)用第一...
          • 本申請?zhí)峁┮环N基于凝視點(diǎn)的背光顯示方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲介質(zhì),該方法包括:遍歷待解壓縮的壓縮圖像中的各像素點(diǎn),根據(jù)各像素點(diǎn)的坐標(biāo)和壓縮圖像對應(yīng)的圖像壓縮規(guī)則,確定壓縮圖像對應(yīng)的液晶圖像中各液晶分區(qū)的統(tǒng)計(jì)信息;根據(jù)各液晶分區(qū)的統(tǒng)計(jì)信息,確...
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