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          • 根據(jù)本公開,提出了一種由用戶設(shè)備執(zhí)行的方法以及用戶設(shè)備,用戶設(shè)備執(zhí)行的方法包括:確定一個(gè)側(cè)行帶寬片段中的一個(gè)側(cè)行資源池的資源,包括將一個(gè)幀號(hào)周期中的所有時(shí)隙組成的一個(gè)第一時(shí)隙集合的一個(gè)子集確定為分配給側(cè)行資源池的一個(gè)第二時(shí)隙集合;以及,在側(cè)...
          • 一種通信方法及裝置,用于提高各種感知模式下的感知精度。在本申請(qǐng)中,方法包括:基站向UE發(fā)送第一尺寸,第一尺寸用于確定感知空間中的多個(gè)第一感知子空間,多個(gè)第一感知子空間分別包括的已知散射點(diǎn)用于確定感知空間中的第一散射點(diǎn)的坐標(biāo)。相應(yīng)的,UE接收...
          • 一種用以傳輸頻率為50GHz至300GHz的信號(hào)的電路板裝置,包括絕緣部、貫穿絕緣部的第一及第二層間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)、第一參考層、第二參考層。第一層間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)定義出信號(hào)路徑。第一層間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)包括第一柱體,其包括第一末端部及第一中央段。第一末端部的第...
          • 一種部件承載件(100),包括:疊置件(102),所述疊置件(102)包括至少一個(gè)電傳導(dǎo)層結(jié)構(gòu)(104)和至少一個(gè)無機(jī)層結(jié)構(gòu)(106),其中,至少一個(gè)無機(jī)層結(jié)構(gòu)(106)具有平坦的第一主表面(108)和相反的平坦的第二主表面(110);在第...
          • 本發(fā)明涉及一種充電器散熱結(jié)構(gòu)及充電器,其中充電器散熱結(jié)構(gòu)包括被構(gòu)建成充電器外殼的殼體,所述殼體包括電池充電位、第一冷卻空氣引導(dǎo)結(jié)構(gòu)和控制組件裝配位,每個(gè)所述電池充電位被構(gòu)建成可接收一個(gè)電池組件的槽,所述第一冷卻空氣引導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括第一進(jìn)氣結(jié)構(gòu)、...
          • 本公開實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體層、堆疊結(jié)構(gòu)和溝道結(jié)構(gòu)。堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)置于半導(dǎo)體層的一側(cè),包括交替層疊的絕緣層和柵極層。溝道結(jié)構(gòu)沿堆疊結(jié)構(gòu)的堆疊方向至少部分貫穿堆疊結(jié)構(gòu),包括溝道層和位于...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NTFET器件及其形成方法,所述TFET器件包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域;柵極結(jié)構(gòu),位于所述半導(dǎo)體襯底表面且橫跨所述第一區(qū)域和第二區(qū)域,其中,位于所述第一區(qū)域的部分柵極結(jié)構(gòu)包括依次位于所述半導(dǎo)體襯底表面...
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,其中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底,所述襯底包括相鄰的第一區(qū)、第二區(qū)以及位于第一區(qū)和第二區(qū)之間的第三區(qū);位于所述第一區(qū)上的第一溝道結(jié)構(gòu)以及位于所述第二區(qū)上的第二溝道結(jié)構(gòu),所述第一溝道結(jié)構(gòu)包括若干沿垂直于襯底表面方向重疊且...
          • 一種高偏壓下穩(wěn)定工作的鈣鈦礦單晶輻射探測(cè)器及其制備方法,探測(cè)器包括鈣鈦礦單晶材料層,鈦電極層和接地電極層,所述鈦電極層和接地電極層分別設(shè)置在鈣鈦礦材料層的上下兩側(cè)。本發(fā)明的鈣鈦礦輻射探測(cè)器可以在高偏壓下穩(wěn)定工作,與當(dāng)前報(bào)道的基于鈣鈦礦輻射探...
          • 一種以有機(jī)材料?銻化銦量子點(diǎn)共混為光活性層的光電探測(cè)器及其制備方法,光電探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu)為從上至下依次為金屬電極層、電子傳輸層、光敏活性層、空穴傳輸層、透明導(dǎo)電玻璃層,其中光敏活性層材料為有機(jī)半導(dǎo)體材料與銻化銦(InSb)量子點(diǎn)共混后制得的...
          • 本發(fā)明提供一種顯示面板及其制備方法,其中顯示面板包括:平坦化層;陽(yáng)極層,位于平坦化層的一側(cè),陽(yáng)極層包括若干子像素陽(yáng)極;阻擋層,位于與陽(yáng)極層相同的平坦化層的一側(cè),阻擋層在平行于顯示面板的方向上包圍每一子像素陽(yáng)極,與每一子像素陽(yáng)極之間形成一間隙...
          • 本發(fā)明提供一種硅烷交聯(lián)性樹脂組合物以及使用該硅烷交聯(lián)性樹脂組合物的硅烷交聯(lián)樹脂成型體和電線,所述硅烷交聯(lián)性樹脂組合物含有至少一種由特定的式表示且在100℃加熱30分鐘時(shí)的質(zhì)量減少率小于10.0%的硅烷醇縮合催化劑、且不含有含錫的硅烷醇縮合催...
          • 提供一種適合作為燃料電池中的氣體擴(kuò)散層的構(gòu)成構(gòu)件的具有優(yōu)異性能的碳纖維片。本公開的一方式是一種碳纖維片,其特征在于,含有碳纖維、導(dǎo)電性粒子、有機(jī)纖維及粘合劑樹脂,所述粘合劑樹脂含有烯烴系樹脂,在由所述碳纖維形成的網(wǎng)眼結(jié)構(gòu)的一部分固貼有含有所...
          • 提供一種在燃料電池中保濕性和排水性優(yōu)異、并且具有低電流密度和高電流密度下良好的發(fā)電性能的氣體擴(kuò)散電極基材。一種氣體擴(kuò)散電極基材,其是在導(dǎo)電性多孔質(zhì)基材的至少一面具有微多孔層的氣體擴(kuò)散電極基材,在所述微多孔層中具有含有有機(jī)高分子的填料,所述填...
          • 本發(fā)明公開了NR2F2拮抗劑及其醫(yī)藥用途,本發(fā)明提供的式(I)化合物對(duì)NR2F2具有強(qiáng)效的拮抗作用,因此該類化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽、互變異構(gòu)體、內(nèi)消旋體、外消旋體、立體異構(gòu)體、代謝產(chǎn)物、代謝前體、前藥或溶劑化物可應(yīng)用于制備NR2F2拮抗...
          • 本發(fā)明提出的利用動(dòng)力機(jī)構(gòu)、配重和杠桿實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換的方法及裝置,動(dòng)力機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),帶動(dòng)配重杠桿的一端運(yùn)動(dòng),配重結(jié)構(gòu)包括配重杠桿和配重體,配重結(jié)構(gòu)與輸出杠桿的一端軟連接,輸出杠桿的另一端帶動(dòng)輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)。動(dòng)力機(jī)構(gòu)與配重杠桿的連接方式為軟連接。本發(fā)...
          • 本發(fā)明循環(huán)流化床鍋爐九宮格結(jié)構(gòu)復(fù)式防磨裝置,屬于循環(huán)流化床鍋爐受熱面防磨技術(shù)領(lǐng)域;所要解決的技術(shù)問題為循環(huán)流化床鍋爐受熱面磨損及受熱面不足所引發(fā)的問題;解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:循環(huán)流化床鍋爐九宮格結(jié)構(gòu)復(fù)式防磨裝置,包括九個(gè)宮格結(jié)構(gòu)及...
          • 本發(fā)明涉及電化學(xué)分析檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及測(cè)定維生素B1電極的制備及應(yīng)用方法。該發(fā)明的目的在于利用電化學(xué)沉積方法制備納米銀/多壁碳納米管修飾電極,并應(yīng)用該電極測(cè)定維生素B1的含量。本發(fā)明技術(shù)方案為:利用電化學(xué)方法在基體電極表面沉積出納米銀顆...
          • 一種鋰離子電池極化抗能模型與安全狀態(tài)判定方法,包括:通過等效電路建模得到與所測(cè)得的電化學(xué)阻抗譜相對(duì)應(yīng)的等效電路模型,并將該等效電路模嵌入到車載電池管理系統(tǒng)當(dāng)中,進(jìn)行電池模型參數(shù)辨識(shí),以實(shí)時(shí)獲取模型參數(shù)值,同時(shí)利用這些參數(shù)值計(jì)算出電池在實(shí)際使...
          • 一種模組連接器包括第一殼體、第一端子模組、第二端子模組以及接地連接片。所述第一端子模組包括若干第一導(dǎo)電端子以及第一金屬屏蔽片。所述若干第一導(dǎo)電端子至少包括第一接地端子、第一信號(hào)端子、第二信號(hào)端子以及第二接地端子。所述第二端子模組包括若干第二...
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