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								      本發(fā)明屬于分子生物學技術領域，具體涉及基于單細胞測序的檢測稀有細胞突變的方法及電子設備和系統(tǒng)。該方法包括以下步驟：獲取待測樣本的第一單細胞測序數(shù)據(jù)以及待測樣本中靶區(qū)域的第二單細胞測序數(shù)據(jù)；根據(jù)第一單細胞測序數(shù)據(jù)獲取待測樣本中稀有細胞的圖譜；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種基因模塊構建方法、裝置、計算機設備、存儲介質(zhì)。所述方法包括：根據(jù)病理樣本隊列數(shù)據(jù)進行基因測序，得到轉(zhuǎn)錄數(shù)據(jù)集，轉(zhuǎn)錄數(shù)據(jù)集包括：單細胞數(shù)據(jù)和時空轉(zhuǎn)錄組數(shù)據(jù)，對時空轉(zhuǎn)錄組數(shù)據(jù)進行轉(zhuǎn)錄組預處理，得到轉(zhuǎn)錄組基因表達矩陣，根據(jù)單細胞數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及生態(tài)風險評價與控制技術領域，具體公開了一種微塑料介導的耐藥基因風險評估方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)。本方法根據(jù)預設的預測算法對宏基因組預測數(shù)據(jù)中的耐藥風險因素進行預測，來確定當前宏基因組預測數(shù)據(jù)中存在的風險因素，然后根據(jù)實際預測結果...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝朔肿芋w系基態(tài)能量值的輸出方法、介質(zhì)、系統(tǒng)和相關設備，所述方法包括：針對所述分子體系對應的每個片段，根據(jù)指定的化學勢值，計算所述片段的基態(tài)能量值和電子數(shù)；利用根據(jù)片段計算得到的總電子數(shù)和所述分子體系的總電子數(shù)，迭代調(diào)整所述化學勢值...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于光量子計算機的從頭藥物設計方法和裝置。其中的方法包括：獲取需要優(yōu)化的配體受體復合物結構；從配體受體復合物結構中提取配體分子以及受體結構，并標記所述配體分子中可優(yōu)化的部分，且預先設置用于進行替換的片段庫；根據(jù)所標記的可優(yōu)化...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種長型按鍵結構，其可減少金屬動件的振動異音及按壓時行程的延遲，并提升按壓的手感。所述長型按鍵結構包括鍵帽、基板、支撐元件。所述支撐包括外剪框架、至少兩個內(nèi)剪框架及金屬補強板件。所述金屬補強板件結合外剪框架的表面上。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及觸頭系統(tǒng)領域，涉及一種用于隔離開關的觸頭系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括聯(lián)結板、動觸頭，所述動觸頭為單片式動觸頭，以及用于連接聯(lián)結板和動觸頭的基座，所述基座兩端分別設有插孔，聯(lián)結板與動觸頭上均設有插接組件，聯(lián)結板與動觸頭通過其上的插接組件與基座兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種水流開關，用于安裝到具有水流通道的管道上，包括：殼體，包括具有第二開口的殼本體、可拆離地封堵第二開口的蓋、腔室；自復位開關，安裝到蓋，并包括伸入腔室內(nèi)的操作部，被配置為：電性連接到電路上，并響應于操作部被操作而導通或切斷電路；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種自約束的橫向延展離子光學透鏡裝置，屬于團簇離子透鏡裝置技術領域。本發(fā)明一種自約束的橫向延展離子光學透鏡裝置包括：長方體真空腔和離子透鏡裝置；離子透鏡裝置包括離子光學透鏡的入口狹縫、離子光學透鏡的出口狹縫和電極組；電極組包括錐...
								
            
							
            
							
						
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								      一種碳化硅晶圓的制造方法包含以下步驟。在第一碳化硅基材上形成碳化硅磊晶層。使用離子注入工藝在該碳化硅磊晶層中形成弱化層。使用激光剝離工藝在該弱化層中產(chǎn)生空腔弱化鍵結。破壞該弱化層的空腔弱化鍵結，而使該碳化硅磊晶層分割為上碳化硅磊晶層及下碳化...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種焊帶接觸測試方法以及一種焊帶接觸測試裝置。該焊帶接觸方法包括如下步驟：提供待測試器件，待測試器件包括連接電極和焊帶，焊帶有多個，多個焊帶并列且間隔設置，連接電極設置于相鄰的兩個焊帶之間，且連接電極連接于相鄰的兩個焊帶，兩個焊...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例提供一種晶圓、對準系統(tǒng)及方法，其中，晶圓包括：晶圓本體，所述晶圓本體包括正面和背面；標識圖形，位于所述晶圓本體的背面中且未貫穿所述晶圓本體。采用上述方案，能夠提高晶圓正面的使用面積。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明具體涉及一種鋅離子電池負極保護層的制備及應用，屬于鋅離子電池技術領域。具體制備方法如下：(1)將金屬氟化物溶于去離子水中或者有機溶劑并持續(xù)砂浴，直至溶質(zhì)完全溶解，制備混金屬氟化物溶液；(2)金屬氟化物溶液冷卻后用于浸泡鋅板；(3)取出...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種負極極片、二次電池及用電裝置，所述負極極片包括負極集流體、第一負極活性材料層以及第二負極活性材料層，在所述負極集流體的厚度方向，所述第一負極活性材料層位于所述負極集流體與所述第二負極活性材料層之間；所述第一負極活性材料層包括...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及二次電池技術領域，具體涉及一種負極極片、二次電池和用電裝置。負極極片包括負極集流體、設置在所述負極集流體上第一負極膜層和設置在第一負極膜層的背離負極集流體的表面的第二負極膜層；其中，所述第一負極膜層包括再生石墨。本申請?zhí)峁┑呢摌O極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種負極片、電池及用電裝置。所述負極片包括負極集流體以及位于所述負極集流體的至少一側(cè)的負極膜層，其中，所述負極膜層包括第一負極膜層和第二負極膜層，所述第二負極膜層位于所述第一負極膜層和所述負極集流體之間；所述第一負極膜層包括第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及鋰離子電池領域，具體涉及一種過渡金屬離子大幅提高基于二維MnPS3負極儲鋰性能的方法。MnPS3二維薄片通過剝離其層狀前驅(qū)體獲得，將MnPS3二維薄片構筑為宏觀電極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種負極活性材料、負極極片、二次電池及用電裝置，所述負極活性材料包括第一碳基材料以及第二碳基材料，其中，所述第一碳基材料包括再生石墨，所述第二碳基材料包括人造石墨二次顆粒，所述再生石墨在所述負極活性材料的質(zhì)量占比大于等于30％。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種正極活性材料及制備方法、正極極片、電池和用電裝置，所述正極活性材料包括通式為LiaLxNibCocMndM...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N組合物、電極極片、電池和用電裝置，組合物包括導電劑，導電劑包括第一導電碳材料和第二導電碳材料，第一導電碳材料包括球狀或類球狀結構；第二導電碳材料包括片狀結構或一維納米結構，其中，導電劑的平均比表面積BET0
							
            
							
						
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