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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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								      本發(fā)明實施例提供一種完井多級裸眼封隔器的驗封方法和驗封裝置，屬于油田開發(fā)技術領域。方法包括：對待驗封井進行通井和洗井，獲取洗井過程中的循環(huán)情況和洗井數(shù)據(jù)；按照井深由大到小的位置順序，對多級裸眼封隔器進行逐級驗封：將分級球座封隔器下入坐封位置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種長水平井均勻布酸優(yōu)化方法、裝置及介質(zhì)，屬于石油天然氣領域。方法包括：根據(jù)初始酸液配方擬合確定酸液粘度的溫度表達式；根據(jù)水平井參數(shù)以及施工參數(shù)確定水平井井筒溫度場；根據(jù)施工參數(shù)、溫度表達式、油藏參數(shù)和井筒溫度場計算井筒酸液濃度分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種多功能肩頸理療披肩，涉及理療披肩技術領域，包括本體機構(gòu)，本體機構(gòu)包括披肩主體，披肩主體的底面固定安裝有放置包，放置包的內(nèi)部設置有理療機構(gòu)；理療機構(gòu)包括按摩單元，按摩單元位于放置包的內(nèi)部，按摩單元用于對使用者的肩部及肩部邊緣位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于削皮裝置領域，特別是一種雙速雙向甘蔗去皮裝置，包括機架，其特征在于，機架上方有變速軸承，所述變速軸承包括內(nèi)齒圈、中心圈、激波輪、滾珠、左端蓋和右端蓋，中心圈通過L型支架固定限位在機架上，內(nèi)齒圈齒數(shù)為ZK，激波輪齒數(shù)為ZH，滾珠數(shù)目...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種側(cè)板組件、側(cè)板調(diào)節(jié)組件、電芯組件、電池包及用電設備。該側(cè)板組件包括側(cè)板本體和調(diào)節(jié)板，側(cè)板組件具有鎖定狀態(tài)和調(diào)節(jié)狀態(tài)，側(cè)板組件處于鎖定狀態(tài)時，調(diào)節(jié)板鎖止于側(cè)板本體，當該側(cè)板組件安裝在電芯組的厚度方向的一端時，便于將電芯組和該側(cè)板...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N復合補鋰劑及其制備方法、正極片、鋰離子電池及用電設備，復合補鋰劑包括補鋰劑內(nèi)核和包覆在補鋰劑內(nèi)核外的碳包覆層，所述碳包覆層摻雜有氮元素，所述氮元素包括吡啶型氮元素，所述吡啶型氮元素占所述氮元素的含量大于等于50％，通過在碳包覆...
								
            
							
            
							
						
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								      一種驅(qū)動電路包括多個級，其中，所述多個級中的每一個的下拉晶體管實現(xiàn)為傳輸門。所述傳輸門可以包括彼此并聯(lián)連接的P溝道第一子晶體管和N溝道第二子晶體管，并且所述N溝道第二子晶體管的柵極和上拉晶體管的柵極可以連接到相同節(jié)點。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種MIC模塊增強防水方法及其工藝，包括以下步驟：在兩個MIC模塊之間相鄰的兩個面上，從上至下等距開設具有30°至60°之間任意傾斜角度的斜槽，斜槽方向朝著最近的豎槽；在所述兩個面兩端開設豎槽，所述豎槽與所述斜槽相通，以確保通過...
								
            
							
            
							
						
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								      顯示裝置包括：第一基板，在該第一基板上限定顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；在第一基板上方與顯示區(qū)域相對應的部分處的薄膜晶體管；在基板和薄膜晶體管上方與非顯示區(qū)域的至少一部分和顯示區(qū)域相對應的部分處的平坦化層；在平坦化層上與顯示區(qū)域相對應的部分處的有機...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了石墨材料及其制備方法、負極片、電池及用電設備，石墨材料包括石墨內(nèi)核和包覆層，石墨內(nèi)核填充有填充劑，未經(jīng)處理的石墨材料的內(nèi)部具有豐富的孔隙結(jié)構(gòu)，比表面積較大，填充填充劑可以降低石墨材料的比表面積，改善石墨材料的高溫性能；同時，在石...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種即使為無引線類型的封裝也可確保與安裝基板的接合可靠性的具有引線的半導體裝置。半導體裝置（100）具有：半導體芯片（110）；多個引線（102），在俯視時在半導體芯片（110）的周圍分離地配置，并從半導體芯片（110）側(cè)延伸；密...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及用于進一步加工承印物的機器，包括：用于模切承印物的模切模塊，其具有模切裝置；用于承印物的上游第一牽引組和下游第二牽引組；用于進一步輸送承印物的輸送模塊，其具有長度可變的輸送區(qū)段；用于將承印物從模切模塊轉(zhuǎn)移到后續(xù)模塊的輸送裝置，其包...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供包括兩性離子復合物的熒光納米顆粒、及其制備方法和其用途，其中該兩性離子復合物包括陽離子交聯(lián)聚乙烯亞胺和陰離子聚合物，該陰離子聚合物包含一種或多種由式1的部分表示的重復單元，其中R1是氫或C1
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及農(nóng)業(yè)生物技術領域，更具體地說，本發(fā)明涉及Vip3Aa突變蛋白及其在控制害蟲上的應用。所述突變殺蟲蛋白Vip3Aa包含與SEQ ID NO:1所示的氨基酸序列相比具有下述突變的氨基酸序列：在對應于SEQ ID NO:1所示的氨基酸序...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種鋰金屬負極及其制備方法、鋰金屬電池、電池組與用電設備，該鋰金屬負極包括層疊設置的鋰金屬層和多孔涂層；所述多孔涂層包括親鋰金屬組分和含氮介孔碳材料。本公開的多孔涂層包括親鋰金屬組分和含氮介孔碳材料，利用含氮介孔碳材料為Li離子的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種即使為無引線類型的封裝也可確保與安裝基板的接合可靠性的具有引線的半導體裝置。半導體裝置具有：半導體芯片；多個引線，在俯視時在半導體芯片的周圍分離地配置，并從半導體芯片側(cè)延伸；以及密封樹脂，以至少多個引線的下表面及端面分別露出的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種層壓無紡布的在線生產(chǎn)設備及制備方法，所述在線生產(chǎn)設備包括第一成網(wǎng)機、第二成網(wǎng)機和熱軋裝置，所述第二成網(wǎng)機設置在所述第一成網(wǎng)機和熱軋裝置之間；所述第一成網(wǎng)機包括第一網(wǎng)簾、第一紡粘無紡布成型裝置、第一熔噴無紡布成型裝置和壓膜裝置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種便于檢修的高低壓開關柜，涉及電氣柜技術領域，該種便于檢修的高低壓開關柜，包括柜體，所述柜體的內(nèi)部設置有抽屜，所述抽屜的表面設置有握把，所述抽屜的內(nèi)壁頂部設置有立柱，所述立柱的頂部設置有檢修防夾機構(gòu)，所述抽屜的右側(cè)設置有保護機...
								
            
							
            
							
						
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								      能夠抑制加熱后離子注入層的擴散的半導體裝置的制造方法包含下述工序：準備由氧化物半導體構(gòu)成且具有一面(10a)的半導體基板(10)的工序；從半導體基板(10)的一面(10a)離子注入第1導電型或第2導電型的雜質(zhì)的工序；進行半導體基板(10)的...
								
            
							
            
							
						
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								      提供電子設備和滑動機構(gòu)。抑制機構(gòu)整體的寬度并且實現(xiàn)更大的滑動量。電子設備(10)具有：滑動件(36)，其能夠在第1位置與第2位置之間位移；遮擋罩(46a)，其設置于滑動件，且在該滑動件處于第1位置時，遮擋罩配置于將相機(28)前方覆蓋的位置...
								
            
							
            
							
						
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